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PMOS管前沿信息_nmos 和pmos我组成异或(2024年12月实时热点)

内容来源：卡姆驱动平台所属栏目：教程更新日期：2024-12-01

PMOS管

在本次的电路设计分享中，聚焦于一个 PMOS 电路，深入探究其中各元器件所发挥的关键作用。此电路包含 Q1（NPN 三极管）与 Q2（PMOS 管），由 MCU 凭借高低电平掌控三极管 Q1 的导通与关断状态。当 Q1 处于关断时，因电阻 R 无电流通过，A 点电位等同于 Vin，即 Q2 的栅极电压 VG 为 Vin，同时其源极电压 VS 也为 Vin，如此一来 Q2 的 G、S 两端电压差为 0，致使 Q2 关断，此时 VOUT 无输出。而当 Q1 导通，A 点电压降为 0，Q2 的 G、S 电压变为 0 - Vin = -Vin，一旦 -Vin 达到 Q2 的导通门限电压，Q2 便导通，VOUT 得以输出。开关管 Q1 可在 NMOS 与 NPN 三极管之间抉择，其选择依据 MCU 的 IO 电压，要确保所选 MOS 管的开启电压高于三极管的开启电压。限流电阻 R2 的取值取决于 MCU 的 IO 电压、最大输出电流以及开关管 Q1 的类型。一般而言，MOS 管的限流电阻取值在几十 范围，三极管的限流电阻则需依据 MCU 的 IO 电压与最大输出电流计算，通常处于 k级别。上下电阻 R3 兼具上拉与下拉电阻的功能，具体取决于 VOUT 的默认状态。在上电瞬间，MCU 尚未就绪，此时需借助电阻来固定电平。若 VOUT 上电默认开启，则 R3 用作上拉电阻，反之则为下拉电阻，上拉电压 VCC 即为 MCU 的 IO 供电电压。在 PMOS 的 GS 之间并联电容 C，当开启 PMOS 时，先对电容 C 充电，使 PMOS 的 VGS 从 0 逐步上升，让 PMOS 经可变电阻进入饱和区，以此避免在开通瞬间因后级电路诸多因素致使 PMOS 遭受大电流冲击。GS 电阻 R1 的取值多在几十上百 K𜌨🙦œ‰助于降低 Q1 导通时的功耗。不过需留意，R1 为 MOS 的 GS 电容构建了放电回路，若 R1 取值过大，会造成 MOS 管关断速度减缓。更多PCB资讯查看捷配官网：

如何在Cadence中仿真gm/id 想要了解如何在Cadence中进行gm/id仿真吗？这里有一份详细的指南，帮助你快速上手。𐟓š 𐟔 首先，你需要了解gm/id仿真的基本概念。gm/id是晶体管的一个重要参数，对于电路设计和优化至关重要。 𐟖寸在Cadence中，你可以使用ADE explore工具来进行仿真。不过，实际上，直接使用ADE L进行仿真可能会更方便。以下是具体步骤： 1️⃣ 将mos管的W、L、Vgs、Vds等参数设置为变量，并导入ADE中。其中，Vds最好设置为Vdd/2，Vgs则可以通过DC仿真扫描一个范围，例如从0.2V开始扫描。 2️⃣ 进入parametric analysis，设置L的参数扫描范围。根据你的需求，选择合适的管子尺寸范围。 3️⃣ 在仿真NMOS时，主要参考vgs-gmid以及gmid-id/w这两种图进行设计。同时，也可以扫描出self-gain以及Ft的曲线，以观察整体变化趋势。 4️⃣ 仿真PMOS时，由于id是负数，记得在公式中加上绝对值函数abs()。 𐟓ˆ 完成这些步骤后，你就可以轻松地进行gm/id仿真了。如果在这个过程中遇到任何问题，可以寻求专业人士的帮助。 𐟔젦ŽŒ握gm/id仿真技巧对于IC设计者来说至关重要。通过这份指南，你可以更快地熟悉Cadence的仿真流程，并应用于实际设计中。

硬件工程师面试必备问题清单，轻松通关！找工作越来越卷了，选对学习方法事半功倍。今天给大家整理了64道硬件工程师面试时被频繁问到的题目，纯干货一定要码住认真看噢❗❗ ✅ 面试题阻抗匹配的概念以及作用？单片机最小系统由哪几个部分组成？解释一下建立时间，保持时间，不满足时会发生什么？共模抑制比越大越好还是越小越好？ mos管和三极管的区别？ mos管内部的反型层是什么？ TCP/IP协议的层数？材料硬度由什么决定？ AD转换的精度由什么影响？什么样的AD转换速度最快？ BOOST电路SW施加电压计算？互连链路阻抗特性？传输线损耗由哪几部分组成？ EMC指标由哪几部分组成？如何消除差模干扰？ AD设计电路全流程？开关电源的基本框图和 LDO 的基本框图并描述区别？ SD3.0接口电压标准？晶振市场失效率？ RS232-C的硬件接口组成？眼图的功能？局域网传输介质有哪几类？ NMOS与PMOS的区别？电路时间常数的物理意义？ LDO电源效率的计算？ mos管和igbt的共同和不同点？二极管P引出端是什么级？带电量与体密度关系？ PID调节器是什么调节器？（滞后超前）集成运放参数理解，包括哪几部分，压摆率呢？ buck的电感很大导致？ buck电路的计算公式是什么？电容esr的重要性？说一说集成运放的主要参数有哪些？竞争与冒险是什么？ UART通信协议有几根线，分别有什么作用？示波器的带宽和采样频率是指什么？解释一下同步电路和异步电路？解释亚稳态？ pcb的常用布线规则有哪些？ DCDC和LDO的区别？如果阻抗不匹配，有哪些后果？更多硬件工程师必问面试题请看上图

49道硬件工程师面试题，你中招了吗？今年的春招真是卷得不行，想要在春招中脱颖而出的同学们，赶紧行动起来吧！今天我给大家整理了49道硬件工程师面试高频题，找硬件工程师岗位的朋友们一定要认真看哦！面试题大集合开关电源的纹波噪声为什么比较大？ MOS管的工作原理是什么？竞争与冒险是什么？常用逻辑电平的关系二极管的特性是什么？电容的特性是什么？ 1uf的电容通常用来滤除什么频率的信号？在消费电子产品中，电源部分一般使用DCDC还是LDO？ I2C需不需要上拉电阻？为什么？单片机死机、跑飞的原因是什么？单片机可以直接驱动MOS管吗？虚短和虚断是什么？同相跟随器是什么？无源晶振起振电容容量选择方法寄生电容是什么？寄生电容的消除方法一般有哪些？单片机如何提高驱动能力？信号干扰主要来源有哪些？ SPI的几种工作模式 PMOS和NMOS的区别使用I2C总线时需要考虑哪些问题？锁相环的原理是什么？ Buck电路中怎么选择续流二极管？ DSP和单片机的区别及应用场合 MOS管的工作原理是什么？ MOS管内部的反型层是什么？ MOS管和三极管的区别共模抑制比越大越好还是越小越好？解释一下建立时间，保持时间，不满足时会发生什么？单片机最小系统由哪几个部分组成？阻抗匹配的概念以及作用是什么？如果阻抗不匹配，有哪些后果？ DCDC和LDO的区别是什么？ PCB的常用布线规则有哪些？解释亚稳态是什么？解释同步电路和异步电路的区别示波器的带宽和采样频率是指什么？ UART通信协议有几根线，分别有什么作用？电阻选型时一般从哪几个方面进行考虑？电容选型一般从哪些方面进行考虑？放大电路频率补偿的概念、目的和方法分别是什么？简单说说你对UART总线的了解 I2C总线的工作原理是什么？利用I2C总线通信时，怎么区分起始信号和停止信号？谈谈你对SPI总线的了解更多面试题请看上图！𐟒ꊧ픦ሤ𘋦œŸ更新，敬请期待！

PMOS电路设计详解：从原理到实践今天我们来详细讲解一个PMOS电路的设计，了解各个元器件在电路中的作用。这个电路中，Q1是一个NPN三极管，Q2是PMOS管，MCU通过高低电平控制三极管Q1的导通和关断。 𐟔 当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin。此时Q2的源极电压VS也等于Vin，Q2的G、S两端的电压等于0，Q2关断，VOUT输出关断。 𐟔„ 当Q1导通时，A点电压为0，此时的Q2的G、S电压为0-Vin=-Vin。当-Vin满足Q2的PMOS管的导通门限电压时，Q2导通，Vout输出导通。 𐟚栥𜀥…𓧮ᑱ可以选择NMOS或者NPN三极管，根据MCU的IO电压来选择。MOS管的开启电压要大于三极管的开启电压。 𐟚砩™流电阻R2的选值要根据MCU的IO电压、最大输出电流和开关管Q1的类型来选择。MOS管的限流电阻通常在几十𚧥ˆ민Œ三极管的限流电阻要根据MCU的IO电压/最大输出电流来计算，一般在k𚧥ˆ룀‚ 𐟔砤𘊤𘋧”𕩘𛒳可以作为上拉电阻或下拉电阻，这取决于VOUT的默认状态。在上电时，如果MCU还没准备好，需要一个电阻来固定电平。如果默认VOUT上电，那么R3就需要上拉，反之则是下拉。上拉的电压VCC是MCU的IO供电电压。 𐟒ᠥœ萍OS的GS之间并联一个电容C。当开启PMOS时，先给电容C充电，此时PMOS的VGS从0开始上升，PMOS经过可变电阻再到饱和区，可以防止开通瞬间后级电路中，各种因素导致PMOS被大电流冲击。 𐟔頇S电阻R1的选值在几十上百K𜌨ƒ𝦜‰效减小Q1导通时的功耗。不过这里要注意，R1给MOS的GS电容提供了放电回路，如果R1过大，就会导致MOS管关断速度变慢。

模拟电路中的上下拉开关详解 𐟔犥œ覨ᦋŸ电路中，上下拉开关是一个常见的元件，它们在电路中扮演着重要的角色。以下是对上下拉开关的详细解释： 𐟔„ 上下拉开关的功能控制MOS管的栅极：MOS管的栅极存在栅电容，如果栅电容保持电荷，Vgs电压会泄漏到Vds，导致芯片在静默状态下的功耗增加。通过上下拉开关，可以将NMOS的栅极接地，PMOS的栅极拉高，从而减少漏电流。延时控制：上下拉开关还可以为电路提供一定的延时，控制高低压器件的开启顺序。例如，先启动BG模块，然后再开启POR模块，最后开启其他模块。如果没有上下拉开关，所有模块同时启动可能会导致低压模块烧毁。 𐟔砤𘊤𘋦‹‰开关的原理使能端控制：上下拉开关通常有两个功能。一个是使能端，标注了“使能端”的字样。通过控制使能端的电平，可以打开或关闭开关。栅电容泄放：当NMOS的栅极接地时，PMOS的栅极被拉高，这样可以为栅电容提供一个泄放通路，减少漏电流。 𐟤” 为什么使用高低压混用？在模拟电路中，高低压混用是一个常见的设计选择。全用高压可能会导致一些问题，例如功耗增加或性能下降。而通过合理设计高低压混用，可以优化电路的性能和功耗。通过这些信息，我们可以更好地理解模拟电路中的上下拉开关的作用和原理，从而在实际应用中进行更有效的设计和优化。

𐟚€ MOS管的驱动原理大揭秘！𐟔犰Ÿ” 让我们一起来探索MOS管的驱动奥秘吧！在电子世界中，MOS管以其出色的开关性能而备受青睐。但你知道吗？其驱动方式可是有讲究的哦！ 𐟓– 首先，让我们回顾一下NMOS和PMOS的基本驱动原理。对于NMOS，当控制信号Ctrl In输出低电平时，NMOS是关闭的；而当Ctrl In输出高电平时，NMOS则会导通。𐟔„ 对于PMOS，情况则相反：低电平导通，高电平关闭。 𐟔砨🙩‡Œ的R1电阻起到了一个偏置作用，可以帮助更快地拉低或拉高栅极电压。对于NMOS，当Ctrl In从高电平变为低电平时，R1将栅极快速拉低并固定在GND，确保可靠的关闭。𐟔„ 对于PMOS，同样地，当Ctrl In从低电平变为高电平时，R1将栅极快速拉高并固定在VDD，完成关闭。 𐟒ᠨ🛤𘀦�œ𐯼Œ我们可以利用MOS管的栅源极电容特性来优化驱动电路。当电容充电时，电流会先增加后减少，直至充满后无电流。但如果MOS管是被动打开的，那么在栅源极充电的瞬间，会有大量电流流经。为了控制这个过程，我们可以加入一个电阻，其值越高，MOS管的开启和关闭速度就越慢；反之则越快。 𐟔„ 另外，还有一种情况是将栅极电阻放在下拉电阻的左边，这构成了一个分压器电路。但需要注意的是，如果电阻值相近，栅极电压可能会低于Ctrl In电压，从而影响MOS管的开启。因此，最佳实践是将栅极电阻放在R1的左边。 𐟚€ 通过这些基本原理，我们可以更好地理解和设计MOS管的驱动电路，从而实现更高效、更可靠的电子系统。继续探索吧，未来的电子工程师！𐟌Ÿ

电源板mos MOS管是一种常用的电子分立器件，通常有三个引脚：G（栅极）、D（漏极）和S（源极）。通过在G和S之间施加控制信号，可以改变D和S之间的导通和截止状态。PMOS和NMOS在结构上相似，但衬底和源漏的掺杂类型不同。NMOS在P型硅衬底上形成N型掺杂区作为源漏区，而PMOS则在N型硅衬底上形成P型掺杂区作为源漏区。本期介绍的是一款P沟道MOS管AO4435，它由合科泰生产，适用于电源、电机驱动、LED驱动、负载开关、模拟开关、高效率开关、电流调节、PWM应用和充电器等多种场合。 𐟔码O4435的特性 AO4435具有超低的导通电阻和栅极电荷，以及非常大的连续漏电流，适合大电流应用。它具有出色的电流和电压控制能力，开关速度快且效率高。当栅极施加电压时，电场控制沟道的导电性，从而调节漏源电流。AO4435的阈值电压相对较低，即使在低电压场景下也能实现关闭。具体参数如下：漏源电压-30V，栅源电压-25V，连续漏极电流-8A，漏源导通电阻0.018欧姆，最小栅极阈值电压-1.7V，最大栅极阈值电压-3V，耗散功率1.7W。 𐟓栤𚧥“封装 AO4435采用SOP-8封装形式，体积小，适合放置在尺寸较小的产品中。它具有高度集成、高效率和高可靠性等特点，紧凑型设计易于布局和焊接，散热性能表现优异。 𐟛 ️ AO4435的应用由于AO4435具备上述强大的特性，它在电源管理、电机驱动、LED驱动、负载开关、模拟开关、高效率开关、电流调节、PWM应用和充电器等场合都能发挥重要作用。例如，在电源管理中，AO4435用于电源开关和电流调整，很低的漏源导通电阻使得电流损耗小，大电流承受能力在稳压电路上起到稳定电压作用。此外，AO4435还可以在电源中用于电源开关，起到开关作用，如在DC-DC转换器中起到开关作用，控制电流的流动。在电机控制电路中，AO4435可以作为电机的驱动器件，调节电压的变化，控制电机的启停和转速。在LED照明系统中，AO4435可以用作LED驱动器，控制电流大小，实现对LED灯的亮度和开关控制。 AO4435在电路中起到调节电压电流、开关等作用，是电源和电机驱动等应用的理想选择。

电流过流保护电路设计指南 𐟚抦œ‰小伙伴问我：mos管过流保护电路有哪些？今天我就来分享一个网上的过流保护电路设计，它利用运放来感知电路是否有过流发生。电路设计 𐟛 ️ 电源：至少12V LM358运放 IRF540N MOSFET 100uf/25V电容散热器 50k”𕤽计 1%精度的1k’Œ100k”𕩘𛊱M”𕩘𛊱ˆ†流电阻，额定功率2W 这里的MOSFET型号是IRF540N，也可以用VBL1104N代替。工作原理 𐟧 当MOS管导通时，负载电流从漏极流向源极，然后通过R1流向GND。我们通过这个分流电阻R1（12W）来检测电流。怎么计算压降呢？用欧姆定律（V=I x R）：如果是1A的负载电流，分流电阻的压降就是1V。这个压降可以和一个预设的电压进行比较，来检测过流情况，然后改变MOS管的状态，切断负载。电压控制MOS管 𐟔犌M358是比较器，它能比较两个值的大小：一个是R1的压降，导入比较器的反向引脚；另一个是RV1生成的预设电压，导入比较器的同向引脚。RV1的主要作用是分压。当感应电压小于预设电压时，RV1会在输出端生成正电压（接近VCC），相反就是负电压（接地，为0V），这就能控制MOS管了。注意事项 ⚠️ 如果将电位计RV1的1A设置为MOS管关断的阈值，比较器检测到的R1压降可能是1.01V，这会导致比较器断开负载。为了稳定工作，最好使用稳定电源给比较器供电，避免瞬态改变影响输入电压和参考电压。此外，比较器需要加入滞后，比如这个100kš„R4和稳压器LM7809。这两个元件的具体作用可以在评论区一起探讨哦！希望这个设计能帮到你！如果有任何问题，欢迎留言讨论！

【英飞特：公司已开展IC、MOS管等关键原材料的国产替代】11月28日，英飞特在互动平台表示，公司已开展IC、MOS管等关键原材料的国产替代。

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