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导通压降最新视觉报道_导通压降定义(2024年12月全程跟踪)

内容来源:卡姆驱动平台所属栏目:热点更新日期:2024-12-01

导通压降

𐟔秡줻𖥰白必读:二极管选型与功能全解析𐟔犰Ÿ” 二极管的定义:二极管是一种带有 PN 结或替代结功能的双端半导体器件。它的负极通常标有 Cathode(简写 K),而正极则标有 Anode(简写 A)。在实际应用中,带有黑色条纹的一侧通常是二极管的负极。 𐟔 二极管的分类: 材料分类:硅二极管和锗二极管。 用途分类:整流二极管、稳压二极管、检波二极管、开关二极管和普通二极管等。 频率分类:低频二极管和高频二极管。 𐟔 二极管的工作原理:二极管有两个端子——阳极和阴极。电流的流动取决于施加于这些端子的电压方向。当电流从阳极流向阴极时(正向),二极管导通;相反,电流不能从阴极流向阳极(反向)。 𐟔 常用的二极管功能: 防反接:利用二极管的单向导电特性,串联一个二极管可以防止电路中的反向电流。这种方案在小电流场合如小玩具中常见。注意,二极管导通时会有0.7V(硅管)的导通压降,大电流可能会导致发热,反接电压过高可能会击穿二极管。 稳压:稳压二极管(Zener diode)利用 PN 结反向击穿状态,在很大范围内变化电流而电压基本不变,从而实现稳压功能。 续流:续流二极管并联在线圈(感性元器件)两端,保护电路中的其他元件免受反向电压损坏。当线圈中的电流消失时,线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉。 检波:峰值检波电路用于检测输入信号幅值的最大值。当输入电压幅度大于二极管正向电压时,二极管导通,输出电压加在电容上;当输入电压幅值低于先前输入电压幅值时,二极管处于反偏截止状态,电容两端的电压基本保持不变。

𐟓š电子技术全解析𐟔슰Ÿ“– 模拟电子技术基础知识 半导体:介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si)和锗(Ge)。 特性:光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体:纯洁的单晶体半导体。 载流子:带有正、负电荷的可移动的空穴和电子。 杂质半导体:在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。 P型半导体:掺入微量三价元素,多子是空穴,少子是电子。 N型半导体:掺入微量五价元素,多子是电子,少子是空穴。 杂质半导体的特性:载流子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 𐟔砐N结 单向导电性:正偏导通,反偏截止。 导通电压:硅材料约为0.6-0.8V,锗材料约为0.2-0.3V。 伏安特性:正向导通,反向截止。正向导通压降:硅管0.6-0.7V,锗管0.2-0.3V。死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V。 分析方法:将二极管断开,分析二极管两端电位的上下;等效电路法;直流等效电路法;微变等效电路法。 𐟔頧賥Ž‹二极管及其稳压电路 特性:正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。 𐟓ᠤ𘉦ž管及其工作原理 类型:分为NPN和PNP两种。 特点:基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。 工作原理:三极管的三种根本组态;三极管内各极电流的分配;共发射极电流放大系数;共射电路的特性曲线。 𐟔砦”𞥤秔𕨷栗„等效模型 简化模型:rbe-输出端交流短路时的输入电阻;B-输出端交流短路时的正向电流传输比,常用B表示。 𐟓Š 根本放大电路组成及其原那么 组成:VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。组成原那么:能放大、不失真、能传输。 图解分析法:直流通路与静态分析;交流通路与动态分析;静态工作点与非线性失真;放大器的动态范围。 𐟔砩›†成运算放大电路 组成:将管线结合在一起制成的具有处理模拟信号的电路。 特性:集成运算放大电路中的元器件的参数具有良好的一致性。 抑制温漂(零点漂移)的方法:直流负反响;温度补偿(利用热敏元件来抵消管子的变化);构成差分放大电路。 失真类型:线性失真(我们所要的,构成电路的放大);非线性失真(饱和失真、截止失真、交越失真)。 耦合方式:直接耦合(低频特性好,便与集成化;存在温漂问题)、阻容耦合(便于计算静态工作点,低频特性差)、变压器耦合(低频特性差,实现阻抗变换;常用于调谐放大电路)、光电耦合。 𐟓ˆ 功率放大电路 类型:共发射极电路、共集电极单级放大器、共基极放大器。 特点:共发射极电路具有集电极电阻Rc将三极管集电极电流的变化转化成集电极电压的变化;共集电极单级放大器无集电极负载电阻,输出信号取自发射级(发射级电压跟随器);共基极放大器。

如何确定MOSFET的导通压降阈值?𐟤” 在电子工程中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)常被用作高边开关,其导通压降可以用来检测负载是否过流。这个过程基于欧姆定律:导通阻抗Rds(ON)乘以导通电流Id等于导通压降Vds。如果Rds(ON)保持不变,而Id增大,Vds也会随之增大。当Id超过某个阈值Ith时,Vds也会达到一个阈值Vth。通过比较Vds和Vth,可以间接判断Id是否超过了Ith,即是否发生过流。 具体来说,可以通过ADC模块采集MOSFET的漏极电压Vd和源极电压Vs,然后计算Vds(即Vd减去Vs)。将Vds与阈值电压Vth输入到比较器中,如果Vds小于Vth,则输出逻辑0;如果Vds大于Vth,则输出逻辑1,表示发生过流。MCU(微控制器)接收到这个逻辑信号后,会关闭MOSFET的开关,避免过流的发生。 需要注意的是,Rds(ON)并不是一个常数,它会受到三个因素的影响:开启电压Vgs、导通电流Id和结温Tj。随着Vgs的增大,Rds(ON)会减小,但也有一个最小值,通常是6V。在6V以上的Vgs下,Rds(ON)不再随着Id的增大而增大,而是保持恒定。随着Tj的增大,Rds(ON)也会增大。 此外,负载的工作电流是不断变化的,因此需要获取其最大的Id。已知负载电流开启时瞬间最大脉冲为30A,根据欧姆定律可得Vds的最大值为0.54V。然而,芯片内部的实际选择可能是离散的,并不一定恰好有0.54V。通过查芯片寄存器可知大于且最接近的电压为0.6V,那么通过配置选择0.6V即为导通压降阈值。 最后,记得进行验证,毕竟实践是检验真理的唯一标准。

直流变交流H桥中,不同方案的效率主要取决于所使用的开关器件及其特性。一般来说,MOS管(如MOSFET)驱动的方案效率较高,因为MOS管的导通压降较小,导通电阻低,从而减少了在导通过程中的能量损耗。 具体来说,MOS管在导通时,其压降主要由导通电阻决定,而高质量的MOS管通常具有非常低的导通电阻,这使得在通过相同电流时,MOS管上的压降远小于其他类型的开关器件,如三极管或集成电路H桥(如L298N)。因此,在相同的条件下,MOS管驱动的H桥能够将更多的能量输出给负载,从而提高整体效率。 然而,需要注意的是,虽然MOS管驱动的方案效率较高,但其成本也可能相对较高,且对技术要求也较高。此外,在选择H桥方案时,还需要考虑其他因素,如安全性、可靠性、成本以及实际应用需求等。 综上所述,直流变交流H桥中,MOS管驱动的方案通常具有较高的效率,但具体选择还需根据实际应用情况综合考虑。

开关电源 𐟔‹ 今天要和大家聊聊电源界的“黑科技”——开关电源!它可是现代电子设备不可或缺的能量源泉哦。让我们一起来揭开开关电源的工作原理和神奇之处吧! 𐟔砥𜀥…𓧔𕦺的工作原理 开关电源的工作原理其实并不复杂。它通过输入滤波,将交流电转化为直流电,为后续的转换打下基础。接着是高频逆变,这里用到的是开关器件,如MOSFET或IGBT,它们以极高的频率跳动,将直流电转化为高频脉冲信号。变压器就像桥梁一样,将初级绕组上的高电压转换为适合输出的低电压,同时隔离了输入和输出电路,保障了电源的安全性。输出整流滤波则是将高频脉冲电压转化为平滑的直流输出,确保了电源的稳定性。控制与反馈环节确保了输出电压的精确控制,让开关电源能够快速适应负载的变化。 𐟌Ÿ 开关电源的主要优势 开关电源的优势真是让人惊叹!它的转换效率高达90%以上,减少能源浪费,真是节能环保。它的体积小、重量轻,非常适合空间受限的场合,节省空间。再者,开关电源的稳压范围宽,能够提供稳定的输出电压,确保设备安全运行。对于手机、无人机等以电池为动力的设备来说,开关电源简直是“救星”!它们不仅高效率,而且设计优化后效率可以达到95%以上。开关电源的损耗来源包括开关管损耗、电感电容损耗和二极管损耗。为了优化效率,我们应该选择导通电阻小的开关管、直流电阻小的电感和漏电流小的电容,以及导通压降小、反向恢复时间短的二极管。 𐟌 开关电源的应用场景 开关电源的应用场景真是无处不在!从家电到工业设备,几乎每一种电子设备都离不开它。手机充电器、笔记本电脑电源适配器、平板电脑充电器等都需要高效、小巧的充电器,而开关电源正是这些设备的核心组件。在工业自动化领域,开关电源为机器人、自动化生产线、传感器和控制系统提供稳定的电力支持。在通信领域,它广泛应用于无线基站和网络设备,确保信号传输稳定。新能源领域也一样,太阳能系统和风能系统中都有它的身影。开关电源的分类包括脉宽调制和脉频调制、串联和并联连接、降压和升压式开关电源等。无论是哪种类型,开关电源都能发挥其高效、紧凑和高性能的优势。 开关电源真的是个“万能选手”,不论是手机、无人机还是大型工业设备,它都能游刃有余。如果你对开关电源还有什么好奇或者问题,欢迎在评论区留言哦!我们一起探讨学习,期待你的互动!𐟓鰟’쀀

探索IGBT:电力电子的超级明星 𐟚€ ### 什么是IGBT? IGBT,全称绝缘栅双极型晶体管,是一种集成了双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)优点的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。它具有高输入阻抗和低导通压降的特性,特别适合用于直流电压为600V及以上的变流系统。 IGBT的优点有哪些? 高电压和电流处理能力:IGBT能够处理高电压和高电流,非常适合需要大功率处理的场景。 低驱动功率:与BJT相比,IGBT的驱动功率更小,这降低了驱动电路的设计和制造成本。 快速开关速度:IGBT的开关速度比BJT更快。 高效率:由于IGBT的通态饱和压降低,在高频率开关应用中具有高效率。 模块化发展:随着技术的发展,IGBT已经实现了模块化,便于系统的集成和升级。 集成化驱动电路:IGBT的驱动电路已经实现了集成化,提高了系统的可靠性和减小了体积。 IGBT的应用场景有哪些? 新能源汽车:IGBT是电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件,在电动汽车中发挥着至关重要的作用。 电动控制系统:主要用于大功率直流/交流(DC/AC)逆变后汽车电机的驱动。 车载空调控制系统:用于小功率直流/交流(DC/AC)的逆变。 充电桩:智能充电桩中被作为开关元件使用。 智能电网:智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端均需使用IGBT。 发电端:风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器都需使用IGBT。 输电端:特高压直流输电中FACTS柔性输电技术需大量使用IGBT。 变电端:IGBT是电力电子变压器的关键器件。 用电端:家用白电、微波炉、LED照明驱动等都对IGBT有大量的需求。 轨道交通:交流传动技术是现代轨道交通的核心技术之一,在交流传动系统中牵引变流器是关键部件,而IGBT又是牵引变流器最核心的器件之一。 5G通信市场:随着5G通信技术的逐步推广和应用,对高速、高频、高效率的功率半导体器件的需求也在不断增加。 工业自动化市场:在工业自动化领域,电机控制、电力变换等方面都需要用到IGBT器件。

硬件工程师每日10问!-电阻电容电感汇总—— 1. 电阻、电容、电感封装含义: 0402:其尺寸表示为 40*20 密耳(mil) 0603:尺寸为 60*30 密耳(mil) 0805:尺寸为 80*50 密耳(mil) 2. 电容精度字母代表含义:J、K、M、Z。 J——Ⱶ%;K——ⱱ0%;M——Ⱳ0%;Z——+80%~-20% 3. 电阻、电容、电感封装大小相关参数: 电阻的封装大小与电阻值和额定功率有关,电容的封装大小与电容值和额定电压有关,电感的封装大小与电感量和额定电流有关。 4. CPU IO 端口上下拉电阻的选择: 如果某 CPU 有很多 IO 端口需要接上下拉电阻,且电阻范围 1~10K 欧姆均可,从综合角度考虑,如果对精度要求不是特别高,4.7K/20% 的电阻是比较合适的选择。因为这种电阻能够满足大部分情况下对上下拉电阻的阻值要求,并且精度为 20% 的电阻在价格上通常会比精度更高的电阻更便宜,能够在满足基本功能的前提下降低成本。 5. 压敏电阻工作原理: 压敏电阻的工作原理是基于其特殊的电压敏感特性。当压敏电阻两端的电压在正常范围内时,其电阻值非常高,几乎相当于一个绝缘体,对电路的正常工作没有影响。但是,当压敏电阻上的电压超过一定幅度时,其电阻值会迅速降低,形成一个低阻通路,从而将浪涌电流泄放掉,保护电路中的其他元件免受过高电压的损害,并将浪涌电压限制在一定的幅度内。 6. PTC 热敏电阻作为电源电路保险丝的工作原理: 在电源电路正常工作时,PTC 热敏电阻的温度较低,其等效电阻也较小,对电路的正常工作几乎没有影响。然而,当电源输入电压增大或负载过大导致电流异常增大时,PTC 热敏电阻会因为温度升高而使其等效电阻迅速增大。电阻增大后,会使电路中的电流减小,从而降低输出电压,起到保护电源电路和负载的作用。当故障去除后,PTC 热敏电阻的温度逐渐降低,其电阻又会恢复到较小的值,电源电路恢复到正常工作状态。 7. 电容值和介质损耗最稳定的电容材质: 在常见的贴片电容材质中,NPO(COG)材质的电容值和介质损耗是最稳定的。这种材质的电容具有温度系数小、电容值稳定性高、介质损耗低等优点,适用于对电容稳定性要求较高的电路,如高精度的振荡电路、滤波器电路等。 8. 磁珠参数含义: 某磁珠的参数为 100R@100MHz,表示在 100MHz 的频率下,该磁珠的阻抗值为 100 欧姆。磁珠的主要作用是在高频电路中抑制高频噪声和干扰,其阻抗值会随着频率的变化而变化。在特定的频率下,磁珠的阻抗值越高,对该频率的噪声抑制效果就越好。 9. 共模电感的作用: 共模电感的主要作用是抑制共模干扰。共模干扰是指在两根或多根导线中,以相同方向流动的噪声电流所产生的干扰。共模电感通过对共模电流的高阻抗特性,将共模电流限制在一个较小的范围内,从而减少共模干扰对电路的影响。共模电感广泛应用于电源电路、通信电路等对电磁兼容性要求较高的电路中。 10. 绿色发光二极管的导通压降: 绿色发光二极管的导通压降大概为 2V 左右。不同颜色的发光二极管具有不同的导通压降,这是由于其材料和结构的不同所导致的。在设计电路时,需要根据发光二极管的导通压降来选择合适的驱动电压和限流电阻,以保证发光二极管的正常工作。

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晶体管的超级家族:你知道多少种? 在我们日常使用的电子设备中,有一个默默无闻但极其重要的角色——晶体管!𐟒ꢜ蠤𛊥䩯𜌥𐱨ˆ‘们一起探索晶体管的奇妙世界吧! 𐟚€ 𐟌ˆ【晶体管的神奇能力】𐟌ˆ 晶体管,这个小小的半导体器件,能够把微弱的信号放大,还能像开关一样控制电流的流动。就像电子世界的魔术师,让一切变得可能! 𐟚€【晶体管的多样家族】𐟚€ 晶体管家族成员众多,每一种都有独特的超能力,适用于不同的电子设备。让我们来看看这些具有代表性的晶体管种类吧! 双极型晶体管(BJT) 这是最传统的晶体管类型,包括 NPN 和 PNP 两种配置。它们由两层 N 型和 P 型半导体材料组成,具有三个电极:发射极、基极和集电极。双极型晶体管可以作为放大器或开关使用,广泛应用于模拟电路和数字电路中。 场效应晶体管(FET) FET 由一个通道和两个控制电极(栅极、源极和漏极)组成。根据制造材料,FET 可以是硅基或化合物基。FET 的主要类型包括结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) MOSFET 是一种电压控制型器件,它的特点是在导电通道和栅极之间有一个绝缘层,通常用于数字和模拟电路中,尤其是在集成电路中。 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT 结合了 MOSFET 和双极型晶体管的特性,提供了高输入阻抗和低导通压降。IGBT 特别适合于高功率应用,如电动汽车和工业电机控制。 光电晶体管 这是一种光敏晶体管,其基极-发射极结对光敏感。当光线照射到晶体管上时,会增加基极-发射极间的电流,从而改变晶体管的开关状态。 达林顿晶体管 达林顿晶体管由两个 BJT 串联组成,具有高电流增益和低输入阻抗。它们常用于驱动高功率负载。 功率晶体管 这些晶体管设计用于处理高电流和高电压,通常用于电源转换、电机控制和其他高功率应用。 微波晶体管 这类晶体管设计用于高频应用,如雷达、卫星通信和无线广播。它们包括行波管、速调管和微波双极型晶体管等。 小伙伴们,你们对晶体管有什么新奇的想法或问题吗?在评论区留言,让我们一起探讨科技的魅力!𐟑‡𐟒찟‘颀𐟒𛰟‘袀𐟒𛀀

家电维修使用的电子元器件识别、检测、焊接、应用速查手册(图解ⷨ熩⑂𗦡ˆ例) 根据测量对象选择合适的指针万用表,需要从多个方面综合考虑,以下是一些建议: 测量电压: 测量直流电压:如果经常测量较低的直流电压(如电子设备中的小型直流电源输出),且对精度要求不是特别高,可选择直流电压量程覆盖较广、灵敏度适中的指针万用表。例如,一些常见的指针万用表直流电压档有 0.25V、1V、2.5V、10V、50V、250V、500V、1000V 等档位,若测量的直流电压通常在几伏到几十伏范围内,那么选择具有这些常用量程且精度能满足需求的万用表即可。如果需要测量较高的直流电压,比如工业设备中的高压直流电源,那么要确保所选万用表的最高直流电压量程能够满足测量要求,并且其耐压性能要良好,以保证使用安全。 测量交流电压:对于测量普通家用交流电压(220V)或一般工业设备的交流电压,选择交流电压量程包含 250V、500V 等常用档位的指针万用表即可。如果需要测量频率较高或特殊频率的交流电压信号,要关注万用表的频率响应范围,确保其能够准确测量该频率下的交流电压。例如,一些指针万用表适用于测量 45Hz - 1000Hz 频率范围内的交流电压,对于超出此范围的交流电压测量可能会产生较大误差。 测量电流: 测量直流电流:如果测量的直流电流较小,如电子电路中的小电流信号,选择具有较小直流电流档位(如 0.5mA、10mA、50mA 等)且精度较高的指针万用表。在测量大直流电流时,要注意万用表的最大允许电流值,防止电流过大损坏万用表。例如,某些指针万用表的直流电流档最大量程为 500mA 或 1A,如果需要测量更大的直流电流,可能需要使用电流互感器等外接设备进行扩流测量。 测量交流电流:测量交流电流的情况相对较少,因为指针万用表测量交流电流不如数字万用表方便。但如果确实需要测量交流电流,要选择具有交流电流测量功能且量程合适的指针万用表。同时,要注意交流电流的频率范围是否在万用表的可测量范围内。 测量电阻: 普通电阻测量:对于一般的电阻测量,如测量电路板上的电阻元件、电线的电阻等,选择电阻量程齐全、精度能够满足要求的指针万用表。常见的电阻量程有 㗱、㗱0、㗱00、㗱K、㗱0K 等档位。如果测量的电阻阻值范围较广,应选择量程覆盖全面的万用表,以便能够准确测量不同阻值的电阻。 高精度电阻测量:如果对电阻的测量精度要求非常高,例如在精密电子设备的维修或研发中,需要准确测量高精度电阻,那么要选择精度高、稳定性好的指针万用表。此外,还可以考虑使用具有温度补偿功能的万用表,以减少温度对电阻测量的影响。 测量二极管和三极管: 测量二极管:指针万用表可以通过测量二极管的正向导通压降和反向电阻来判断二极管的好坏。在选择万用表时,要确保其具有二极管测量档位,并且该档位的输出电压和电流能够满足二极管的测量需求。一般来说,选择具有 㗱K 或 㗱00 档位的指针万用表可以较好地测量二极管。 测量三极管:如果需要测量三极管的放大倍数、引脚极性等参数,要选择具有三极管测量功能的指针万用表。这种万用表通常会有专门的三极管测量插孔和相应的测量档位,能够方便地进行三极管的测量和判断。 测量频率(部分指针万用表具有该功能):如果需要测量信号的频率,要选择具有频率测量功能的指针万用表。在选择时,要关注万用表的频率测量范围和精度,确保其能够满足测量需求。例如,一些指针万用表可以测量几十赫兹到几千赫兹的频率信号。 工作环境和便携性需求: 工作环境恶劣:如果工作环境较为恶劣,如高温、高湿度、强磁场等环境下,应选择外壳坚固、密封性好、抗干扰能力强的指针万用表。这样可以保证万用表在恶劣环境下能够正常工作,并且使用寿命较长。 需要经常携带:如果需要经常携带万用表外出工作,那么应选择体积小、重量轻、便于携带的指针万用表。例如,一些袖珍型的指针万用表体积小巧,方便放入工具包中携带,但在功能和量程上可能会有所限制。

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