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非易失性存储器在线播放_非易失性存储器有哪几种(2024年11月免费观看)

内容来源：卡姆驱动平台所属栏目：导读更新日期：2024-11-27

非易失性存储器

#推荐类# 内存和硬盘的区别：全面解析与选购指南在这个数字化时代，了解计算机的基本组件对于提升工作效率和优化设备性能至关重要。本文将深入探讨内存和硬盘的区别，帮助你更好地选择适合自己的硬件配置。无论你是技术小白还是资深玩家，本文都将为你提供详实的指导和实用的建议。一、功能与用途 1.1 内存（RAM）内存，全称为随机存取存储器（Random Access Memory），是计算机中用于临时存储数据的高速存储器。它的主要功能是在计算机运行过程中存储程序代码和数据。当你打开一个应用程序或浏览网页时，相关的数据会被加载到内存中，以便CPU能够快速访问和处理。因此，内存的大小直接影响计算机的多任务处理能力和运行速度。 1.2 硬盘（HDD/SSD）硬盘，包括传统的机械硬盘（HDD）和现代的固态硬盘（SSD），是用于长期存储数据的设备。硬盘的主要功能是存储操作系统、应用程序、用户文件等大量数据。与内存不同，硬盘是非易失性存储器，即使在计算机关闭或重启后，数据也不会丢失。这使得硬盘成为数据长期保存的理想选择。二、存储方式 2.1 内存内存主要分为两种类型：DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器）。DRAM 是最常见的类型，用于主内存，而 SRAM 通常用于缓存。内存是一种易失性存储器，数据在断电后会立即丢失。 2.2 硬盘硬盘主要有两种类型：HDD（机械硬盘）和SSD（固态硬盘）。 - HDD：使用旋转磁盘和读写头来存储和读取数据，速度相对较慢，但容量大且价格便宜。 - SSD：使用闪存芯片来存储数据，速度快、无噪音、抗震性能好，但价格相对较高。三、性能与速度 3.1 内存内存的读写速度非常快，通常在几十纳秒级别。访问延迟也非常低，通常在几纳秒到几十纳秒之间。这种高速特性使得内存成为计算机运行时数据处理的核心。 3.2 硬盘 - HDD：读写速度较慢，通常在几十毫秒级别。访问延迟较高，通常在几毫秒到十几毫秒之间。 - SSD：读写速度非常快，通常在几百微秒级别。访问延迟较低，通常在几十微秒到几百微秒之间。四、容量与成本 4.1 内存内存的容量通常较小，常见的笔记本电脑内存容量为8GB、16GB、32GB等。内存的价格相对较高，每GB的成本比硬盘高得多。 4.2 硬盘硬盘的容量通常较大，常见的硬盘容量为500GB、1TB、2TB等。硬盘的价格相对较低，尤其是HDD，每GB的成本远低于内存。五、使用场景 5.1 内存内存适用于需要快速访问数据的应用，如运行大型软件、游戏、视频编辑等。内存的大小直接影响计算机的多任务处理能力和运行速度。 5.2 硬盘硬盘适用于需要长期存储大量数据的应用，如存储操作系统、应用程序、文档、图片、视频等。硬盘的容量和速度直接影响数据的存储和访问效率。六、升级与扩展 6.1 内存内存可以通过增加内存条来扩展容量，但受主板插槽数量的限制。升级内存时需要注意兼容性，如内存类型、频率、电压等。 6.2 硬盘硬盘可以通过更换更大容量的硬盘或添加额外的硬盘来扩展存储空间。升级硬盘时需要注意接口类型（SATA、M.2等）和系统兼容性。七、选购建议 7.1 内存 - 容量：根据你的需求选择合适的内存容量。对于日常办公和娱乐，8GB 内存已经足够；对于大型软件和游戏，建议选择16GB 或更高。 - 频率：内存频率越高，性能越好。常见的频率有2400MHz、2666MHz、3200MHz等。 - 品牌：选择知名品牌的内存条，如金士顿、威刚、海盗船等，以确保质量和稳定性。 7.2 硬盘 - 类型：如果你需要高速读写和低延迟，建议选择SSD；如果你需要大容量存储且预算有限，可以选择HDD。 - 容量：根据你的存储需求选择合适的容量。对于大多数用户，500GB 的 SSD 和 1TB 的 HDD 已经足够。 - 品牌：选择知名品牌的硬盘，如三星、西部数据、希捷等，以确保质量和可靠性。结语通过本文的详细介绍，相信你对内存和硬盘的区别有了更深入的了解。无论是选择内存还是硬盘，都需要根据自己的实际需求和预算进行合理选择。希望本文能帮助你在选购硬件时做出明智的决策，提升你的计算体验。 #动态连更挑战#

【科学家将二氧化硅缺陷“变废为宝”，打造新型非易失性存储器，数据存储时间长达10年以上】 “研究人员利用#二氧化硅# 中的边界陷阱来捕获和释放 氧化镓中的光生空穴，借此显著提高了数据存储时间，让数据存储的时间长度甚至超过 10 年，因此这是非易失性存储器领域中的一个重大里程碑。”对于#山东理工大学# 张永晖博士和团队的新论文，审稿意见给出如上评价。研究中，他和团队提出一种能够实现非易失性光电存储的新方法，即把在 氧化镓中光生的空穴存储在二氧化硅的边界陷阱中，让#电子# 和空穴分隔开，以便延长载流子的寿命。这种方法本质上与浮栅晶体管相似，都是将电荷束缚在绝缘层中来实现存储功能。不过，更为重要的是，他们实现了器件设计的范式创新。通常，人们认为作为绝缘体的二氧化硅，其晶体质量和绝缘性能应该是越高越好，因此人们往往认为“缺陷”就是瑕疵，代表着不完美，因此要竭力避免。而本次工作利用二氧化硅中普遍存在的边界陷阱缺陷，来实现非易失性存储的功能。这证明缺陷不一定都是有害的，在充分了解其物理性质的基础上，可以有效利用缺陷来实现那些“完美”晶体所不能达到的功能。戳链接查看详情：

【「IC风云榜候选企业」50 普冉股份：加强创新型人才培养持续推进“存储+”战略】「2025年半导体投资年会」「2025 IC风云榜」 $普冉股份 sh688766$作为国内存储芯片领先企业，一直专注于非易失性存储器芯片的研发和创新，形成了以NOR Flash和EEPROM为核心的存储器芯片产品矩阵，并基于存储器技术优势，推出“存储+”规划和长期战略，积极拓展通用微控制器和存储结合模拟的全新产品线。【IC风云榜候选企业50】普冉股份：加强创新型...

𐟒𛥭˜储器知识全解析𐟓– 𐟔今日我们来深入探讨计算机存储器的奥秘！ 𐟒𜦠𙦍U能否直接访问，存储器可分为两大类： 1️⃣ 内部存储器：CPU可直接访问，快速且方便。 2️⃣ 外部存储器：CPU无法直接访问，数据需先传至内部存储器。 𐟓根据能否永久存储数据，存储器又可分为： 1️⃣ 易失性存储器：断电或关闭计算机后，数据会丢失。 2️⃣ 非易失性存储器：数据可永久保存，断电或关闭计算机后也不会丢失。 𐟒᧎𐥜诼Œ你是否对存储器有了更深入的了解呢？记得收藏并分享给你的小伙伴们哦！𐟑밟‘�‘쀀

psp r15 𐟔砓TM32系统架构探索 Flash存储器和SRAM存储器的区别 Flash存储器：这是一种非易失性存储器，意味着即使断电，它也能保存数据。通常用于存储程序代码。不过，Flash的写入次数有限，且需要先擦除才能写入新数据，因此在使用时要注意擦写周期和数据备份。 SRAM存储器：这是一种易失性存储器，读写速度非常快，且读写次数无限。但它掉电时会丢失所有内容。SRAM主要用于暂存数据和临时变量，读写操作由CPU直接完成，访问速度较快。 AHB和APB的区别 AHB（高速总线）：这是一种系统总线，主要负责连接处理器、DMA等内部接口。AHB系统由主模块、从模块和基础结构组成，整个AHB总线上的传输都由主模块发出，由从模块负责回应。 APB（低速总线）：主要负责连接外围设备，分为APB1和APB2。与AHB不同，APB不支持多个主模块，唯一的主模块是APB桥。 Cortex-M0的寄存器详解 R0-R12：共有13个通用寄存器。R0-R7为低端寄存器，可作为16位或32位指令操作数；R8-R12为高端寄存器，只能用作32位操作数。 R13：栈指针寄存器SP（stark pointer），Cortex-M0在不同物理位置上有两个栈指针——主栈指针MSP和进程栈指针PSP。在处理模式下只能使用主堆栈，在线程模式下可以使用主堆栈或进程堆栈。系统上电的默认栈指针是MSP，这样设计的目的是为了在进行模式转换时减少堆栈的保存工作，并为不同权限的工作模式设置不同的堆栈。 R14：链接寄存器LR（link register），用于存储子程序或函数调用的返回地址。 R15：程序计数器PC（program counter register），存储下一条将要执行的指令的地址。 𐟚€ 继续前行，探索更多嵌入式开发的奥秘！

𐟔探索存储器的奥秘，让我们深入了解Nor Flash和Nand Flash的神奇之处！ 𐟒Ꭿr Flash存储芯片，以其非易失性存储器的特性，在嵌入式系统中大放异彩。它的随机访问性能超群，让程序代码的执行更加流畅。并行访问功能则提升了读取效率，确保数据的快速获取。对于需要快速启动和执行代码的设备，Nor Flash无疑是首选。 𐟓–Nand Flash存储芯片，同样以其非易失性存储器的特点，在存储大容量数据时展现出优势。页编程特性使得数据以页为单位进行写入，大幅提升了存储效率。高密度特性更是满足了现代设备对大容量存储的需求。虽然其顺序读取性能较优，但仍然广泛应用于存储卡、固态硬盘等设备中。 𐟚€国产存储器芯片厂商也在不断发力，如长江存储的3D NAND闪存、兆易创新的NOR/NAND Flash等，为国产存储器市场注入了新的活力。 𐟒᧎𐥜诼Œ你是否对存储器有了更深入的了解呢？让我们一起期待国产存储器芯片的更多创新吧！

半导体领头羊，利润大增130%，A股最值得期待的公司！回暖，升温！2024年以来，随着半导体去库存改善供需，AI、消费电子市场增长，以及存储芯片价格回升，半导体行业的景气度持续上行。截至上半年，A股半导体企业合计实现了营收2788.31亿，同比增长22.01%，净利润同比增长了11.61%，复苏景象显著。其中，在半导体产业链中，存储芯片环节的回暖趋势最为突出。2024第二季度，全球存储市场的规模达到414.2亿美元，同比大增了108.7%。兆易创新，作为国产存储芯片领域的领头羊，将在这个回暖趋势中充分受益。详细来看，这归功于公司具备的两个核心优势。一个是错位竞争优势。我们知道，存储芯片是公司的第一大主营业务，业务涵盖NOR Flash、NAND Flash（非易失性存储器）和DRAM（动态随机存取存储器），2024上半年的营收占比超过70%。其中的DRAM是计算机系统中核心的系统内存，全球超过90%的份额被三星、SK海力士和美光三巨头捏在手里。而兆易创新通过入股长鑫存储掌握了DRAM技术，目前主要在DDR3和DDR4产品上实现了量产。DDR3和DDR4是市场的主流产品。但近年来，三星和美光等海外巨头们技术内卷，加之AI算力爆发催动高宽带、低功耗的HBM的市场需求旺盛，就使得巨头们把更多的资源和精力逐渐转移到利润更高的DDR5和HBM上。而这种转变就导致了DDR3和DDR4的全球产能受到影响，比如，三星和SK海力士已经宣布了在2024下半年停止DDR3的生产。那么，DDR3和DDR4的市场空间得以释放，就给兆易创新这样的中低端供应商带来利好，与国际龙头形成了错位竞争。也正因此，进入2024年以后兆易创新的业绩飞速上升。在过去的2022-2023年，受终端市场需求疲软，同行竞争激烈等因素影响，兆易创新的业绩经历了连续两年的下滑，2023年的净利润更是同比下滑了92.15%。但自从进入2024年以来，受益于存储芯片业务的销量大增，公司的业绩表现出现明显的扭转。从公布的三季报数据来看，2024三季度的营收实现56.5亿，同比增长28.56%，由负转正。同时，扣非净利润同比大增128.31%，增长势头十分抢眼。然而，我们不禁发问，如果未来DDR5占据市场，兆易创新的市场潜力不就被完全压缩了吗？数据预计，未来DDR5将加速渗透，到2025年，DDR5的规模将占据整个DRAM市场的40.5%，且至2028年，DDR5将占据绝大部分的市场份额。但是，这也不意味着DDR4会完全退出市场，特别是在成本敏感的应用场景中。我们知道，DDR5内存拥有较高的性能的同时，成本也较高，且产能也在早期阶段，在与主板和处理器的兼容性方面还需要继续完善。与此同时，DDR4的内存技术成熟，且对游戏应用或者中低端消费电子产品来说，高频DDR4就已经足够满足需求，且成本效益显著，极具性价比。除此之外，长鑫存储早在2023年11月底推出了LPDDR5系列产品，包括POP封装的12GB LPDDR5芯片。虽说与国际顶尖技术还有一定的差距，但也是国内这个领域里从0到1的突破。而兆易创新作为长鑫存储的股东，从而也有机会接触到先进的DRAM技术，为未来的DDR5产品布局打下基础。另一个是产品技术优势。在NOR Flash方面，公司在国内首家推出了超高速8通道SPI NOR Flash和2Gb容量产品，且拥有38nm和24nm制程的高水平技术储备。并且，MCU的产品型号接近370个，对高中低端市场形成覆盖，技术领先于行业，为苹果、华为和三星等头部企业供货。多年来，公司在研发方面的投入持续加大，2024三季度已达8.46亿，且2024三季度的研发费用率达到了14.97%，足以见得公司对研发的重视。且至2024上半年已经共有1043项授权专利，高筑护城河。那么，在这些优势的作用下，公司的盈利能力也得到了显著提升。我们知道，2023年行业景气度不高，产品价格下降明显，从而导致了毛利率下降至34.42%。但2024年以来，存储芯片业务的收入比例上升，毛利率整体虽未达到往年最高水平，但也呈现了明显的涨势，2024三季度恢复到了39.46%，显著超越了德明利、佰维存储等同行。而毛利率的增长也作为主要因素驱动着净利率的回升，从2023年的2.8%攀升至2024三季度的14.73%，回升速度快于江波龙、东芯股份和朗科科技等同行，显著修复了盈利能力。那么，未来兆易创新的成长逻辑在哪呢？存储芯片量价齐升。量方面：就拿PC产品来看，现代电脑的主板都是使用NOR Flash来作为存储芯片。随着PC端对AI能力的要求增加，就会需要存储更多的数据和更复杂的固件，从而会拉动NOR Flash的容量上升。数据预计至2025年支持AI功能的PC出货量将超过1亿台，占PC总出货量的40%，推动NOR Flash的容量向128Mb和256Mb扩大。而除了PC之外，消费电子、智能汽车和5G等发展都会推动NOR Flash的需求量上升，预计2029年NOR Flash的规模将达到42.3亿美元，2024-2029的年复合增长率为5.3%。那么，兆易创新作为国内NOR Flash领域的领头羊，份额排在全球前三、累计出货量212亿颗排国内第一，自然有望充分承接市场需求获得业绩增量。价方面：22024年初以来，存储需求上升的同时，头部存储供应商减产，使得存储产品进入了涨价周期。根据统计，2024年第一季度开始，DRAM和NAND Flash的合约均价持续上扬，2024第三季度的价格上涨幅度为8%-13%和5%-10%。预估涨价势态将在2024第四季度延续，只是整体的均价涨幅有所收敛，DRAM的涨幅约在8%-13%之间。NAND Flash的各产品价格调整不一，比如，企业领域的SSD（固态硬盘）价格涨幅约在0%-5%，而消费领域的SSD价格会有所下调，在5%-10%之间。可见，兆易创新有明确的量价齐升的逻辑。MCU处于增量市场中。MCU（微控制器）是兆易创新的第二大主营业务。其下游应用领域囊括了汽车、消费电子、智能卡等。其中，汽车MCU是推动市场增长的主要驱动力，2022年的车用MCU销售额占整体的37%。我们知道，在汽车的车身控制系统、动力与底盘系统等每个电子系统中都会用到ECU（电子控制单元），而每个ECU中至少需要一个MCU来完成运算和控制任务。那么，汽车的电动智能化程度就决定了MCU的使用量。数据预计至2029年，全球车规级MCU的市场规模将达160.5亿美元，2024-2029的年复合增长率为8.92%。从全球MCU整体规模来看，2029年将达到388亿美元，可见MCU的长期需求依然强劲，有望持续给公司带来增长机遇。总之，2024三季度，兆易创新的业绩增长亮眼，且盈利能力恢复显著。未来随着存储芯片的量价齐升，以及MCU产品的放量，有望继续保持业绩高增。

DS18B20 𐟌᯸最近发现了一款超好用的温度传感器——DS18B20，忍不住和大家分享一下！这款传感器不仅外形小巧，而且功能强大，适用于各种温度测量和控制场合。下面就让我来详细介绍一下吧！单总线接口优势𐟒ኄS18B20采用了单总线接口技术，只需要一根数据线就能实现微处理器与它的双向通信。这种方式不仅经济性好，而且抗干扰能力强，特别适合在恶劣环境下使用。你可以轻松地组建传感器网络，不需要为每一个传感器都单独布线，这在降低成本的同时也让系统更加可靠。测量范围宽，从-55℃到+125℃，精度在-10℃到+85℃范围内达到Ɒ.5℃。无论是大棚、粮仓还是其他需要精确温度控制的场所，DS18B20都能胜任。多应用场景𐟌 DS18B20温度采集器可以同时接入32个或更多传感器，这在大棚、粮仓等需要低成本温度采集的地方特别有用。通过AVR单片机编程，你可以实现对温度的自动控制、报警、记录等功能。我自己就曾经用这个系统来监测大棚的温度，效果非常好。此外，DS18B20在空调、冰箱、热水器等家电领域以及医疗设备、工业控制和汽车电子领域都有广泛应用。想象一下，你的空调可以智能调节温度，冰箱能自动记录温度变化，这些都可以通过DS18B20来实现。技术参数与特点𐟓Š DS18B20的技术参数也非常出色。它的测量范围在-55℃到+125℃之间，在-10℃到+85℃范围内精度为Ɒ.5℃。工作电压范围为3.0V到5.5V，低功耗特性使其特别适合电池供电的应用。传感器数量可以超过32个，使用5类网线时传输距离可达100米以上。而且，它还具有非易失性存储器，可以保存9字节的RAM和1字节的EEPROM，方便用户存储温度数据和配置参数。这些特性使得DS18B20在各种应用中都表现出色。 DS18B20真的是一款非常实用的温度传感器，无论是精度、经济性还是易用性都非常优秀。如果你有任何关于温度测量和控制的需求，不妨考虑一下这款传感器。有什么问题或者使用心得，欢迎在评论区和我互动哦！𐟌Ÿ

【今天16:30】本期SpringerMaterials系列在线讲座以“新型非易失性存储器技术的展望”为主题，特别邀请到了南京大学电子科学与工程学院教授、博导何亮博士重点介绍磁随机存储器（MRAM）在前沿科学领域，以及商业制造领域的最新进展。欢迎大家点击“阅读原文”立即报名在线研讨会！网页链接

【10月14日】SpringerMaterials系列在线讲座以“新型非易失性存储器技术的展望”为主题特别邀请到了南京大学电子科学与工程学院教授、博导何亮博士欢迎大家点击“阅读原文”立即报名在线研讨会！网页链接

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