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宽禁带最新娱乐体验_宽禁带半导体(2024年12月深度解析)

内容来源：卡姆驱动平台所属栏目：话题更新日期：2024-12-02

宽禁带

宽禁带半导体大讲堂科研云的微博直播

半导体材料演进：从硅到宽禁带 𐟔젧쬤𘀤𛣥Š导体材料 - 硅（Si）和锗（Ge）：硅和锗是早期半导体技术的基石。它们具有较宽的禁带宽度，能够在常温下工作，但性能相对较低。这些材料为后续技术的发展奠定了基础。 𐟔젧쬤𚌤𛣥Š导体材料 - 化合物半导体：化合物半导体由两种或多种元素组成，如砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）。它们具有更窄的禁带宽度，适合在高频和高功率条件下工作。与硅和锗相比，化合物半导体具有更好的光电特性和高温稳定性。这些材料广泛应用于光电子器件、高频电子器件和功率电子器件等领域。 𐟔젧쬤𘉤𛣥Š导体材料 - 宽禁带半导体：宽禁带半导体材料包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和金刚石（Diamond）。这些材料具有更宽的禁带宽度，能够在更高的温度、功率和频率下工作。它们具有优异的热导率、绝缘性和抗辐射特性，在高功率、高频和高温环境下具有明显优势。这些材料主要应用于高频、高功率电子设备、光电子器件和高温环境下的电子器件。 𐟌ˆ 总结：随着半导体技术的发展，半导体材料从最初的硅和锗，到化合物半导体，再到宽禁带半导体，不断提升了性能和应用范围。每一代材料都为后续技术的发展奠定了基础，推动了半导体行业的不断进步。

【「前湾新区324个项目假期连续施工」】前湾图书馆、盛世里文旅ⷥ奧‰𙨎𑦖宽禁带半导体材料与功率器件研究所……国庆假期，前湾新区324个项目连续施工，呈现一派繁忙景象。图为建设中的前湾图书馆。

300046 台基股份 ★主营业务:主营功率半导体器件的研发、制造、销售及服务第三代半导体|公司将持续研发以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术。操盘训练营，加入了，你才知道啥叫超值，啥是...

「西电快讯」【著名胡琴演奏家沈诚做客“终南美育大讲堂”】 11月15日，第三期终南美育大讲堂在宽禁带半导体国家工程研究中心举行，著名胡琴演奏家、中国音乐学院教授、华中科技大学艺术学院院长沈诚做客此次大讲堂，讲座主题为《聆听国乐，走进传统文化》，陕西广播电视民族乐团/陕西民族乐团多位艺术家进行了现场示范演奏。（点击链接网页链接查看原文）

【二十年矢志突破国家“卡脖子”关键技术 ——「记西安电子科技大学宽禁带半导体团队」】「西安电子科技大学超话」勇担强“芯”使命，矢志突破国家“「卡脖子」”关键技术。2024年6月24日上午，全国科技大会、国家科学技术奖励大会、两院院士大会在京召开，西安电子科技大学马晓华教授牵头项目荣获2023年度国家科学技术进步奖一等奖。二十年矢志突破国家“卡脖子”关键技术 ——记西...

北京市新技术新产品认定申报指南 𐟓… 申报时间：2024年11月12日（星期二）至12月6日（星期五） 𐟓 申报网址： 𐟔 申请范围：在本市行政区域内登记注册的科技企业、高等学校、科研机构、医疗机构、科技型社会组织等创新主体，围绕本市发展导向的新兴产业和未来产业，申请符合国家法律法规和科技伦理规范相关要求，且技术先进、产权明晰、质量可靠、市场前景广阔的新技术新产品新服务。 𐟓š 申请领域：新一代信息技术：人工智能、量子信息、互联网3.0、光电子、区块链、集成电路、第六代移动通信（6G）。生物医药健康：合成生物、数字医疗、基因技术、细胞治疗与再生医学、脑科学与脑机接口。高端装备与制造：智能机器人、高端医疗器械、智能装备、智慧出行、高端科学仪器与关键零部件。新能源：氢能、新型储能、固态电池与燃料电池、先进光伏。新材料：宽禁带半导体、超材料、超导材料、石墨烯等低维材料、新一代生物医用材料、其他重点领域关键材料。航空航天：商业航天、卫星网络、无人机。新能源汽车：智能网联汽车。节能环保：低碳技术、绿色技术、碳捕集封存利用。 𐟒𛠧”𓨯𗦖𙥼：申请主体通过登录北京市新技术新产品新服务认定工作网进行线上申请。在线注册信息、上传申请主体依法成立的相关注册登记证件并填报北京市新技术新产品新服务申请书。 𐟓‘ 申请材料：申请承诺书申请项目执行的现行有效的标准文本及其执行标准自主声明公开的有关文件申请项目的检验报告或相关证书项目拥有自主知识产权的证明文件及说明摘要技术先进性和创新性的有关文件其他辅助材料 𐟓Œ 注意事项：申请主体在线填报时，可按需选择新技术、新产品、新服务分别进行申请，每家单位申请总量不超过5个。参数、规格、系列不同但属于同一技术路线或同类别的新技术新产品新服务不得重复申请。需要同步做查新报告和测试报告。 𐟔 赶快行动吧，不要错过这个机会！

【MSO 4B 示波器为工程师带来更多台式功率分析工具】持续测量 AC-DC 和 DC-DC 转换器的性能可能是一项极具挑战性的任务。随着设计师努力从硅基电源转换器过渡到碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体，这些挑战变得尤为棘手。电机驱动器等三相系统的设计师面临更多复杂问题。网页链接「张国斌的芯发布」

【IC风云榜候选企业62「镓仁半导体」：突破国外技术垄断，推动氧化镓产业高质量发展】「2025半导体投资年会」「2025 IC风云榜」杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，位于浙江省杭州市萧山区，是一家专注于宽禁带半导体氧化镓单晶材料研发、生产和销售的科技型企业。依托于浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心，镓仁半导体已建成以中国科学院院士为首席顾问，具备丰富行业经验的研发、生产、运营团队。【IC风云榜候选企业62】镓仁半导体：突破国外...

【我国学者研制出新型紫外波段单光子激光雷达】科技日报：记者26日从中国科学技术大学了解到，该校张军等人联合南京大学陆海、张荣团队通过设计制备单光子雪崩光电二极管，发展主动淬灭主动恢复读出电路技术，研制出具有实用价值的紫外半导体单光子探测器。研究团队利用该探测器首次实现了单光子差分吸收臭氧激光雷达系统，并实现1—3.5公里高度范围内的臭氧浓度监测。相关研究成果日前发表在国际学术期刊《应用物理快报》上。紫外单光子探测技术在大气环境监测、尾焰探测、电弧检测和火灾预警等应用场景中发挥着重要作用。宽禁带半导体材料具有热导率高、抗辐射能力强、电子饱和漂移速度高以及性能稳定等特点，在研制新型紫外半导体单光子探测器方面具有显著的材料性能优势。然而，长期以来基于宽禁带半导体材料的单光子探测器性能指标差，特别是探测效率极低、暗计数率极高，使得该类型单光子探测器不具有实用价值。基于前期研究基础，研究团队在单光子探测器性能指标方面持续开展攻关。一方面，研究团队通过迭代优化单光子雪崩光电二极管结构和工艺提升了器件的单光子探测效率；另一方面，研究团队针对单光子雪崩光电二极管器件的特征，发展了新型主动淬灭主动恢复读出电路，在有效抑制探测器后脉冲概率的同时，显著提升了饱和计数率，基本满足了紫外单光子激光雷达应用对单光子探测器的性能需求。研究团队利用该探测器首次在单光子差分吸收臭氧激光雷达系统中开展相关应用。该激光雷达系统将289纳米和316纳米的脉冲激光同时垂直发射到大气中，由于臭氧分子对两种波长激光的吸收系数不同，实验中将回波信号分为两路，分别用传统的光电倍增管和新型单光子探测器进行探测和数据反演。实验结果表明，在1—3.5公里范围内使用两种探测器反演出的臭氧浓度分布高度吻合。科研人员表示，这项研究工作将为紫外波段单光子激光雷达提供了一种高性能、高环境耐受性的实用化解决方案。

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