tvs二极管权威发布_tvs二极管怎么判断好坏(2024年12月精准访谈)
Microsemi提供的1N6036A至1N6072A系列双向瞬态电压抑制器(TVS)二极管,具有1500W的高脉冲功率和快速响应时间,适用于保护电子设备免受感性切换、射频感应或雷击效应的影响。这些产品提供5.5V至185V的工作电压范围,采用密封的DO-13金属封装,并提供符合MIL-PRF-19500/507标准的军事等级选项以及RoHS合规的商业等级。它们广泛应用于ESD、EFT和雷击保护,具有广泛的温度工作范围和高可靠性,是高可靠性应用的理想选择。
TVS二极管在百兆POE接口中的应用
宋仕强先生介绍说,深圳市萨科微()半导体有限公司一直研究新材料新工艺,不断推出新产品,驱动公司不断发展。最近萨科微推出SL40T120FL系列IGBT单管,和CMOS运算放大器SLA333等产品,为新能源汽车、太阳能光伏、交流电机、变频器、开关电源和工业伺服器行业客户服务。总经理宋仕强介绍,萨科微slkor()技术团队由中国清华大学和韩国延世大学专家组成,较早掌握碳化硅高电压MOS管生产技术,于2022年获授“国家高新技术企业”称号,原始取得MOS管、IGBT管、TVS二极管、元器件封测方面几十项发明专利,通过欧盟ROHS及REACH检测标准。“slkor”发展成为国际知名品牌,萨科微产品与金航标kinghelm电子的天线。连接器、接插件等产品一起,被全世界超15000家客户采用!萨科微研制的高端产品有碳化硅SiC SBD二极管、碳化硅SiC MOSFET管、IGBT管、超快恢复功率二极管等,萨科微还有肖特基二极管、ESD静电保护二极管、TVS瞬态抑制二极管、通用二极管和三极管、高中低压MOS管、FRD高压二极管、SiC SBD高压二极管、可控硅、桥堆等,电源管理芯片有LDO、AC-DC、DC-DC等。萨科微工厂大批量生产的AMS1117-3.3、AMS1117-5.0、SS14、SS34、M7/SMA、SS8050、PC817C/SMD-4、1N4148W/SOD-123、BAT54C/SOT-23、2N7002/SOT-23、SMBJ6.5CA、SMBJ5.0A/SMB、SM4007PL、SD12C(SOD-323)、ZMM5V1/LL-34、SS310 /SMA、MC34063S/SOP-8、slkor萨科微SS36/SMA、BTA16-800B、FR107、SL27517、SL27523、SL27524、MMBT5551等通用型号,质量稳定性价比高,受到包括深圳华强北贸易商和北京中关村的广大客户的欢迎。萨科微“slkor”SL4054是一款完整的采用恒定电流/恒定电压的单节锂离子电池充电管理芯片。应用方案运用较少的外部元件使其成为便携式应用的理想器件,SL4054可以适合USB电源和适配器电源工作。由于采用了内部 PMOSFET 架构,加上防倒充电路,所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行调节,以便在大功率操作或高温环境下对芯片温度加以限制,充电电压固定于 4.2V,而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到最终浮充电压之后降至设定值 1/10 时,SL4054将自动终止充电循环。当输入电压(交流适配器或 USB 电源)被拿掉时,SL4054自动进入一个低电流状态,将电池漏电流降至 2uA以下。也可将SL4054置于停机模式,以而将供电电流降至 45uA。SL4054的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。萨科微SL4054采用SOT23-5封装小型化。
电磁兼容中ESD静电放电整改选什么器件 在电磁兼容中,为了对抗静电放电(ESD)的影响,通常需要使用静电抑制器、TVS二极管、压敏电阻、瞬态抑制二极管和滤波器与屏蔽等。 静电抑制器:这些器件可以防止静电电荷的积累,并在发生静电放电时提供一个安全的放电路径,从而保护敏感的电子设备不受损害。 TVS二极管:也称为瞬态电压抑制器,它们能在毫秒级别内响应,将静电放电产生的高电压钳位至安全水平,以保护设备中的半导体器件。 压敏电阻:当压敏电阻两端的电压超过其阈值时,它的阻值会急剧下降,从而为静电放电提供一个低阻抗的通路,保护电路不受损害。 瞬态抑制二极管:它们可以吸收或分流高能量的电流尖峰,包括由静电放电引起的那些,从而保护设备不受损害。 滤波器与屏蔽:使用EMI滤波器可以减少外界静电放电对设备的干扰,而良好的屏蔽设计可以降低静电放电对内部电路的影响。 需要注意的是,选择哪种器件取决于具体的应用场景和需要保护的设备类型。在进行整改时,应综合考虑设备的工作环境、敏感度以及可能面临的静电放电情况,选择合适的器件进行保护。
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Microsemi提供的1N6036A至1N6072A系列双向瞬态电压抑制器(TVS)二极管,具有1500W的高脉冲功率和快速响应时间,适用于保护电子设备免受感性切换、射频感应或雷击效应的影响。这些产品提供5.5V至185V的工作电压范围,采用密封的DO-13金属封装,并提供符合MIL-PRF-19500/507标准的军事等级选项以及RoHS合规的商业等级。它们广泛应用于ESD、EFT和雷击保护,具有广泛的温度工作范围和高可靠性,是高可靠性应用的理想选择。
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二极管全解析:从基础到应用 ᤺极管,作为电子电路中的明星元件,你真的了解它吗?今天,让我们一起走进二极管的神奇世界! 餺极管的核心原理在于其PN结的单向导电性。通过在PN结上加上引线和封装,我们得到了一个能够单向导电的二极管。 ᤺极管的特性包括单向导电性。当外加反向电压在一定范围内时,二极管处于截止状态,电流极小。但一旦超过某个数值,反向电流会突然增大,这就是电击穿现象,二极管将失去单向导电性。 那么,什么是N型半导体和P型半导体呢?N型半导体电子浓度高,主要靠自由电子导电;而P型半导体则以带正电的空穴导电为主。 ᐎ结,这个神奇的交界,将P型和N型半导体结合在一起。在电子器件中,如半导体二极管和双极性晶体管,都广泛应用了PN结。 示极管的应用也是多种多样。整流二极管可以将交流电变为直流电,是低频整流电路的常用选择。而桥式整流堆则能更有效地调整电流方向。 瞬态电压抑制二极管(TVS)则是一种高效的保护器件,当受到反向瞬态高能量冲击时,它能迅速降低阻抗,吸收浪涌功率,保护电路中的精密元件。 𘥅电二极管则是对光敏感的元件,可用于各种物体检测、光电控制等场景。而发光二极管(LED)则能将电能转化为光能,为我们带来光明。 稳压二极管利用PN结的反向击穿状态来稳定电压,确保电路的稳定运行。肖特基二极管则是利用金属半导体结原理制作的热载流子二极管。 此外,还有开关二极管、激光二极管、变容二极管、双向触发二极管等多种类型的二极管,它们在电子电路中发挥着各自的作用。 诼你是否对二极管有了更深入的了解呢?让我们一起探索电子世界的奥秘吧!
—怎么回事,我的电路板怎么莫名奇妙就烧了?? PCB制造前,需进行一系列质量测试,捷配计价页要选择测试方式: 而在电路设计过程中,ESD(静电放电)防护电路的设计至关重要,若忽视这一点,电子产品极易遭受电磁、静电等干扰而损坏。通常,设计电路时大家会想到运用 ESD 保护元器件,但对于这些元器件如何放置、放置位置以及数量的确定,很多人并非十分清楚。 ESD 保护电路的核心作用在于削减电压和电流。一旦成功实现这一点,多数 IC 自身内部的 ESD 保护机制就能应对剩余的 ESD 问题。以常见的 PIC16 控制器(如 PIC16F616)为例,查看其内部框图可发现,在 I/O Pin 的引脚左侧设置了两个二极管,这便是内部 ESD 保护电路。 在 ESD 发生作用时,IC 内部的 ESD 保护电路可能会承受极高的电压,比如达到 300V。倘若此时没有外部 ESD 保护措施,就可能致使芯片 IC 内部的保护机制过载,进而损坏设备。所以,在关键电路上添加外部 ESD 保护,能有效降低电路板设备受损的风险。 那么,ESD 具体是怎样开展保护工作的呢?这需依据实际情况灵活调整。 一、加串联电阻 在整个 ESD 保护电路中简单串联一个电阻,此举能够延缓信号的上升时间,同时对改善电路的 EMI(电磁干扰)和 SI(信号完整性)问题也有所帮助。不过,电阻阻值的选取要参照实际 IO 引脚上信号所允许的电流来确定,阻值过大则会对信号产生不良影响。 二、引脚到地下拉一个电容 通过串联一个电容的方式,可有效降低相关电路的峰值电压,一般而言,电容越大,所提供的保护作用也就越强。但需注意一个特殊情况,那就是低 ESR(串联电阻)的大陶瓷电容可能会引发振铃现象,即信号出现反射和叠加,形成振荡波形。而且,引脚到地串联电容这种方法并非适用于所有情形,比如在通信或高速信号电路中就不适用,因为电容的加入会增加整体负载,从而对高速信号造成干扰。 三、加入 TVS 二极管 这是 ESD 静电保护中最为常用的手段,其作用与齐纳二极管(稳压二极管)大体相同,且具有传递速率更快、浪涌额定值更高的优势。在设计 ESD 保护电路时,还可以给 TVS 二极管串联一个电阻,这样既能降低电流,又能起到保护 TVS 二极管的作用。 另外,还需了解几个相关术语: ●反向工作最大电压(VRWM):指在正常工作条件下,二极管允许外加的最大反向电压值。 ●击穿电压(VBR):即二极管刚开始导通时的电压,也就是击穿电压。 ●钳位电压(VCLAMP):是在浪涌期间的最大电压。 ●动态电阻(RDYN):指二极管完全导通时的大概电阻。 总之,在电路设计时要充分重视 ESD 防护,根据具体电路情况合理选用 ESD 保护措施,确保电子产品的稳定运行。 「PCB」「PCB设计 」「电子工程师 」
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