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外延工艺最新视觉报道_多层外延和深沟槽工艺(2024年12月全程跟踪)

内容来源：卡姆驱动平台所属栏目：热点更新日期：2024-11-30

外延工艺

木质防火门工艺详解：从设计到安装 𐟔 你是否对木质防火门的结构工艺有深入了解？作为设计师，不仅要掌握每个工艺细节，还要熟悉防火门的尺寸换算公式。从量尺到安装，每个环节都要精益求精。 𐟓 这里为你整理了一份详细的木质防火门换算方式，快来看看吧：主套外延（宽）= 门洞尺寸（宽） - 胶缝 * 2 门扇（宽）= 门洞尺寸（宽） - （胶缝 + 套板厚）* 2 - 左右门缝主套外延（高）= 门洞尺寸（高） - 胶缝门扇（高）= 门洞尺寸（高） - 胶缝 - 套板厚 - 门缝 - 离地门缝 𐟔砦ˆ‘厂工艺规范（供参考）：胶缝10mm；主套厚35mm；门缝3/4mm；离地门缝7mm 𐟓 门洞量尺书写规范：高*宽*厚=数量 𐟔 左右门缝如何预留？子母门、双开门如何计算尺寸？欢迎讨论交流。

MOCVD加热器用钼隔热屏 1️⃣ MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉积）技术是现代半导体材料与器件制造中的一项关键技术，尤其在LED（发光二极管）外延片生长领域应用广泛。在该技术中，加热器扮演着至关重要的角色，它负责提供必要的反应温度，以促进气体前驱物在衬底表面的化学反应，从而沉积出高质量的薄膜。 2️⃣ 钼隔热屏作为MOCVD加热器系统中的一个关键组件，其主要功能在于有效隔离加热器产生的热量与反应腔室的其他部分，确保热量能够高效、精确地传递至反应区域，同时减少能量损失和不必要的热辐射对系统其他部件的潜在影响。钼因其高熔点（约2623Ⰳ）、良好的导热性和在高温下优异的化学稳定性而被选为理想的隔热材料。 3️⃣ 在MOCVD系统中，钼隔热屏的设计需综合考虑热传导效率、机械强度以及长期运行的可靠性。通常采用精密的机械加工和热处理工艺，以确保其尺寸精度和结构完整性。此外，钼隔热屏的表面处理也是关键，旨在进一步提高其耐高温氧化性能，延长使用寿命。通过优化钼隔热屏的设计与制造，不仅可以提升MOCVD系统的整体能效，还能为高质量外延材料的生长提供稳定可靠的热环境，是推动半导体材料科学与技术进步的重要因素之一。 #MOCVD# #钼加热带# #钼屏# #宝鸡必隆#

SiC薄膜由于其复杂的制造工艺和多相特性而天生存在缺陷。目前，对SiC薄膜质量控制的方法是通过光致发光（PL）进行缺陷映射。然而，这种方法无法可靠地识别缺陷的亚类，这对下游产品的产量、性能和可靠性有深远的影响。今天，我们将介绍阴极发光（CL）高光谱映射作为一种补充的测量技术，可以更好地对SiC中的缺陷进行分类。 SiC衬底的制备及其后续外延工艺容易受到各种晶体缺陷的影响。不同的缺陷类型对器件性能有不同的影响，其中许多缺陷会导致产量损失或设备过早失效。因此，为了确保功率电子产品的最高产量和可靠性，需要仔细检查和表征碳化硅层。传统上，采用光致发光（PL）扫描仪对SiC衬底进行检测，该过程获得的结果是一张晶圆图，其中包含缺陷形状和缺陷是暗点还是亮点的信息。然而，缺陷的形状并不总是与缺陷类型相关，光致发光（PL）无法识别一些缺陷的子类，而这些子类缺陷对成品率和可靠性也有很大影响。阴极发光（CL）是一种理想的分类缺陷和定量缺陷（包括子类）的方法，因为它具有高能量激发的空间和光谱分辨率。通过获取高光谱图，可以对大视野（FOV）进行成像，并根据其独特的光谱特征对缺陷进行分类。图1展示了高光谱成像技术在识别和分类SiC薄膜中的缺陷方面的能力。根据阴极发光（CL）信号也可对位错（缺陷的一种）进行亚类划分。具体来说，边缘型和混合型位错会导致非中心对称应变，从而在位错中心附近产生峰位移。图2展示了两个具有边缘型信号的位错的峰位移。以上所做的分析均基于阴极发光（CL）高光谱图的使用，这使得阴极发光（CL）成为光致发光（PL）扫描的理想补充：阴极发光（CL）可以检测出光致发光（PL）扫描过程中无法识别出的子类缺陷；将缺陷光谱图和初始分类数据直接输入到Attolight SEM-CL系统中，该设备可以驱动到晶圆上相应的位置，从而对感兴趣的缺陷进行详细的检测。由于大视野和快速、可靠的光学程序，Attolight SEM-CL系统能够快速测量晶圆上多个缺陷位置。这为SiC工艺控制和开发开辟了一条新的途径，为从外延生长过程中产生的普遍缺陷的起提供了新的研究方向。

广东省人民政府办公厅印发广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案(2024—2030年)。其中提到，省重点领域研发计划支持光芯片技术攻关。加大对高速光通信芯片、高性能光传感芯片、通感融合芯片、薄膜铌酸锂材料、磷化铟衬底材料、有机半导体材料、硅光集成技术、柔性集成技术、磊晶生长和外延工艺、核心半导体设备等方向的研发投入力度，着力解决产业链供应链的“卡点”“堵点”问题。

【碳化硅，价格下跌近30%】行业消息显示，今年以来，主流6英寸SiC衬底价格持续下滑，其价格已下跌近30%。目前国内市场多位行业人士表露，2024年中期6英寸SiC衬底的价格已跌至500美元以下，渐接近中国制造商的生产成本线。到今年第四季度，价格进一步下降至450美元甚至400美元，这给大多数制造商带来财务压力。 SiC产业链主要包括衬底、外延、器件、应用等环节，衬底和外延工艺占据了整个成本结构的70%，其中衬底的成本比重更是接近50%...碳化硅，价格下跌近30%

西电，重大突破！交大，国际领先！ 11月18日至21日，第十届国际第三代半导体论坛暨第二十一届中国国际半导体照明论坛在江苏苏州举行。2024年度中国第三代半导体技术十大进展在论坛上公布。其中，西安电子科技大学和西安交通大学的科研成果入选。西安电子科技大学郝跃院士课题组在6—8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术上实现重大突破。课题组的李祥东教授告诉记者，团队陆续攻克了该类电子器件外延、设计、制造和可靠性等系列难题，成果成功应用于功率半导体系列产品中。西安交通大学王宏兴教授研究团队成功实现2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底国产化。团队历经10年潜心研发，通过对成膜均匀性、温场、流场及工艺参数的有效调控，独立自主开发了2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底，提高了异质外延单晶金刚石成品率与晶体质量，并成功实现批量化生产。这一创新成果标志着我国在金刚石超宽禁带半导体材料领域的研究已达到国际领先水平，为金刚石的半导体应用奠定了基础。 #动态连更挑战# #热点引擎计划# #我要上热门#

磷化铟材料：从基础研究到应用探索磷化铟（InP）是一种重要的III-V族化合物半导体材料，继硅和砷化镓之后，成为了半导体领域的研究热点。与第一代元素半导体材料如锗和硅相比，磷化铟的出现对于提升微电子器件的性能具有重要意义。这种材料通过高温退火工艺制备，保持了传统原生掺铁衬底的高阻特性，同时铁浓度大幅降低，电学性质、均匀性和一致性显著提高。然而，目前半绝缘类型InP衬底的生产质量仍需改善。原生半绝缘InP是通过在单晶生长过程中掺入铁原子来制备的，但高浓度的铁原子在外延及器件工艺过程中容易扩散。此外，由于铁在磷化铟中的分凝系数很小，InP单晶锭沿生长轴方向表现出明显的掺杂梯度，顶部和底部的铁浓度相差一个数量级以上，这影响了单晶片的一致性和均匀性。为了克服这些问题，研究人员探索了通过高温退火处理低阻非掺杂InP晶片来获得半绝缘衬底的方法。这种方法可以形成半绝缘态，大致可分为两种机制：一是通过掺入深受主元素补偿浅施主来实现半绝缘态；另一种是通过新缺陷的形成使浅施主浓度降低，同时驻留的深受主元素发生补偿。根据这个思路，中科院半导体所的科研人员采取了三个步骤来制备非掺杂半绝缘磷化铟衬底：首先用液封直拉法拉制高纯低阻非掺杂磷化铟单晶（表面为低阻），然后将其切割成一定厚度的晶片并封装在石英管内，最后在合适的气氛条件下进行高温退火处理。经过对比测试和分析发现，在磷化铁气氛下退火制备的半绝缘磷化铟晶片不仅缺陷少，而且具有良好的均匀性。这一发现为磷化铟材料的研究和应用提供了新的思路和方法。

日本产品为何更精致？6个字揭秘日本的消费市场可以用一个“精”字来概括。这个字体现在日本产品的多个方面：精致：日本的产品注重细节和工艺，无论是电子产品、汽车还是日常用品，都追求高质量和精细的设计。精心：日本的服务行业以周到细致的服务著称，无论是餐饮、零售还是旅游，都力求给顾客提供最佳的体验。精进：日本企业在技术创新和产品改进上不断追求卓越，持续改进产品性能和用户体验。精算：日本消费者在购买决策时往往比较理性，会仔细比较产品的性能、价格和价值，做出精明的消费选择。精制：日本的饮食文化中，无论是寿司、拉面还是和牛，都强调食材的新鲜和烹饪的精细。精雅：日本的文化产品，如动漫、游戏等，往往具有独特的审美和精致的制作。这些“精”字的体现，是日本消费市场和文化的一部分，但每个方面都有其独特的内涵和外延。

拼接床的5大优势，妈妈们都知道吗？有宝宝的家庭一定要试试拼接床！这不仅能让宝宝睡得舒适，还能让大人更安心。选择一款好的拼接床非常重要，从材质到颜值再到细节，每一个都很重要。经过一番研究，我入手了巴布豆高同学的拼接床，真的被身边的朋友们问爆了！𐟒劊𐟛Œ 防撞床围：这款拼接床自带床围，不用担心宝宝半夜掉下床。市面上很多床的床围都是选配的，还要额外花钱。我选的是防撞加厚款，这样宝宝睡着也不会撞到边角受伤，性价比超高。 𐟔— 拼接神器：拼接床一定要能无缝拼接大床，巴布豆的这款自带延边板，外延4cm，直接解决了拼接缝隙的问题。宝宝可以在小床和大床上随意翻滚，3米大床瞬间就有了。 𐟌🠦— 油漆无异味：这款床选用的是山毛榉木，除了床脚有白色环保油漆外，其他地方都采用无油漆工艺。刚打开时只有木头的味道，没有异味，宝宝用着也很放心。 𐟑𖠥œ†角设计：床的外露床框都是弧形设计，对好动的宝宝非常友好，不用担心划破宝宝细嫩的皮肤。这款拼接床颜值也很高，几个月用下来觉得真不错，结实又精致！适合各年龄层的宝宝，真是满足了我对拼接床的所有需求。妈妈们可以理性种草哦！𐟘˜

砷化镓制造全攻略：从原材料到回收砷化镓（GaAs）作为第二代半导体材料的代表，以其高频率、高电子迁移率及出色的光电性能，在现代电子、通信及光电子领域发挥着重要作用。那么，砷化镓是如何制造的呢？ 𐟌ˆ 制造砷化镓的第一步是准备高纯度的镓（Ga）和砷（As）作为原料。自然界中不存在天然的砷化镓单晶，因此必须通过人工合成。原材料的提纯是关键步骤，确保杂质含量极低，以满足后续高质量单晶生长的需求。 𐟔젧 𗥌–镓的主要制造方法包括化学气相沉积（CVD）和液相外延（LPE）。其中，CVD技术通过气态前驱物在高温下反应生成砷化镓薄膜，是目前最常用的方法之一。它能够在精确控制的环境下，生长出高质量的砷化镓单晶。 𐟔砤𘺤𚆨🛤𘀦�高砷化镓单晶的质量，生长工艺的优化至关重要。常见的优化手段包括垂直布里其曼法（VB法）和垂直梯度凝固法（VGF法）。这些方法通过精确控制温度梯度、化学组分等参数，能够减少晶体中的缺陷密度，提高晶体的完整性。此外，计算机模拟技术也被广泛应用于生长工艺的优化，以实现对晶体生长过程的精确控制。 𐟔ꠧ 𗥌–镓单晶生长完成后，还需经过切割、磨片、抛光等一系列后续处理步骤，以获得符合要求的芯片。同时，严格的检测过程也是必不可少的，包括成分分析、结构表征、性能测试等，以确保砷化镓产品的质量和性能。 ♻️ 在砷化镓的生产过程中，会有大量废料产生，其中包含大量有价值的镓元素。因此，镓回收具有重要的经济和环境意义。通过有效的回收技术，可以从废料中提取出高纯度的镓，实现资源的循环利用，降低生产成本，减少环境污染。 𐟌 砷化镓的制造是一个复杂而精细的过程，涉及原材料准备、主要制造方法、生长工艺优化、后续处理与检测等多个环节。随着科技的不断进步，砷化镓的生产工艺也在不断优化和完善。同时，镓回收的重要性日益凸显，为实现资源的可持续利用和环境保护提供了有力支持。未来，随着5G、物联网等技术的快速发展，砷化镓的市场需求将持续增长，其制造技术和回收技术也将迎来更加广阔的发展空间。

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