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共集放大电路权威发布_共集放大电路和共射放大电路的区别(2024年12月精准访谈)

内容来源：卡姆驱动平台所属栏目：观点更新日期：2024-12-01

共集放大电路

2024年中级电气工程师题库精选 𐟓š 本题库包含5个章节，共722道题目，剩余692题含答案。 1️⃣ 磁通或磁通量是什么？ A. 磁感应强度 B. 磁导率 C. 磁场强度 D. 磁通或磁通量答案: D 2️⃣ 安全电压是多少？ A. 9V B. 12V C. 24V D. 36V 答案: D 3️⃣ 机车采用多段整流桥的目的是什么？ A. 提高电机电压 B. 控制精度 C. 电机功率 D. 其他答案: B 4️⃣ 电传动机车直流牵引电机在进行再生制动时采用什么方式？ A. 串励 B. 并励 C. 他励 D. 其他答案: C 5️⃣ 由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是哪个？ A. 共发射极 B. 共集电极 C. 共基级电路 D. 共基极和共集电极电路答案: B 6️⃣ 在由二极管组成的单相桥式整流电路中，若一只二极管断路，则什么会发生？ A. 与之相邻的另一只二极管将被损坏 B. 电路仍能输出单相半波信号 C. 其他管子相继损坏 D. 上述都不对答案: B 7️⃣ 为了保证晶闸管能准确、可靠地被触发，要求触发脉冲的前沿要什么？ A. 小 B. 陡 C. 平缓 D. 无要求答案: B 8️⃣ 要使正向导通的普通晶闸管关断，只要什么即可？ A. 断开控制极 B. 给控制极加反压 C. 使通过晶闸管的电流小于维持电流 D. 给控制极加正压答案: C 9️⃣ 晶体三极管的电流放大倍数随温度升高而什么？ A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 其他答案: A

𐟓š机电一体化专业课程全解析𐟓– 𐟓š 机电一体化专业课程，带你深入探索电工电子技术的奥秘！ 𐟔 半导体二极管的识别与检测：了解二极管的基本原理和检测方法。 𐟔砦•𔦵滤波电路的安装与测试：实践整流和滤波电路的搭建与测试。 𐟓ˆ 半导体三极管的识别与检测：探索三极管的特性及其应用。 𐟔砥…𑥏‘射极放大电路的安装与调试：掌握放大电路的调试技巧。 𐟓ˆ 共集电极与多级放大电路的安装与调试：学习多级放大电路的设计与优化。 𐟓ˆ 负反馈放大器的安装与调试：了解负反馈对放大器性能的影响。 𐟓ˆ 场效应管放大器的安装与调试：探索场效应管放大器的应用场景。 𐟔砩›†成运算放大器线性应用电路的安装与调试：掌握运算放大器的线性应用。 𐟔砨“„电池过放电报警电路的安装与调试：了解蓄电池过放电报警电路的工作原理。 𐟔砒C正弦波振荡电路的安装与调试：实践正弦波振荡电路的搭建与测试。 𐟔砧Ÿ𓨋𑦙𖤽“振荡电路的安装与调试：了解石英晶体振荡电路的工作原理。 𐟔砥ˆ†立元件功率放大器的安装与调试：掌握分立元件功率放大器的设计方法。 𐟔砩›†成功率放大器的安装与调试：了解集成功率放大器的应用场景。 𐟔砤𘲨”型直流电源的安装与调试：掌握串联型直流电源的工作原理。 𐟔砩›†成稳压电源的安装与调试：了解集成稳压电源的设计方法。 𐟔砕SB手机充电适配器的安装与调试：探索USB手机充电适配器的应用场景。 𐟔 晶闸管的识别与检测：了解晶闸管的基本原理和检测方法。 𐟔砦™𖩗𘧮ᨰƒ光电路的安装与调试：掌握晶闸管调光电路的搭建与测试。 𐟔 电工仪表与测量基础：学习电工仪表的使用和测量方法。 𐟔 电工基本技能实训：实践电工基本技能的掌握与应用。 𐟓š 数学基础：为电子技术的学习打下坚实的数学基础。 𐟓š 思想政治：了解电子技术与社会发展的关系。

𐟔砦衧”𕥮ž验电路仿真指南 𐟌 探索模拟电子技术的世界，Multisim仿真实验为你提供了121个文件，涵盖了各种模拟电路的设计与仿真。从放大器到滤波器，再到振荡器，这里应有尽有。𐟔 1️⃣ 二极管加正向电压 2️⃣ 二极管加反向电压 3️⃣ IV法测二极管伏安特性 4️⃣ 用万用表检测二极管 5️⃣ 例1.2.1电路 6️⃣ 直流和交流电源同时作用于二极管 7️⃣ 半波整流电路 8️⃣ 全波整流电路 9️⃣ 单向限幅电路 𐟔Ÿ 双向限幅电路 1️⃣1️⃣ 底部钳位电路 1️⃣2️⃣ 顶部钳位电路 1️⃣3️⃣ 振幅解调电路 1️⃣4️⃣ 振幅调制电路 1️⃣5️⃣ 稳压二极管稳压电路 1️⃣6️⃣ 发光二极管 1️⃣7️⃣ 光电控制电路 1️⃣8️⃣ 变容二极管应用 1️⃣9️⃣ IV法测三极管伏安特性 2️⃣0️⃣ 用万用表测三极管 2️⃣1️⃣ 晶闸管功能演示 2️⃣2️⃣ 双向晶闸管功能演示 2️⃣3️⃣ 基本共发射极放大电路（1） 2️⃣4️⃣ 基本共发射极放大电路（2） 2️⃣5️⃣ 基本共发射极放大电路（3） 2️⃣6️⃣ 基本共发射极放大电路（4） 2️⃣7️⃣ 直接耦合共发射极电路 2️⃣8️⃣ 直流工作点的温度漂移 2️⃣9️⃣ 工作点稳定的共发射极放大电路 3️⃣0️⃣ 放大倍数与输入电阻的测量 3️⃣1️⃣ 输出电阻的测量 3️⃣2️⃣ 共集电极放大电路（1） 3️⃣3️⃣ 共集电极放大电路（2） 3️⃣4️⃣ 共基极放大电路 3️⃣5️⃣ 复合管共射放大电路 3️⃣6️⃣ 复合管共集放大电路 3️⃣7️⃣ 共射-共基放大电路 3️⃣8️⃣ 共集-共基放大电路 3️⃣9️⃣ 共集－共射放大电路 4️⃣0️⃣ NMOS管共源放大电路 4️⃣1️⃣ 直接耦合放大电路（1） 4️⃣2️⃣ 直接耦合放大电路（2） 4️⃣3️⃣ 直接耦合放大电路（3） 4️⃣4️⃣ 阻容耦合放大电路（1） 4️⃣5️⃣ 阻容耦合放大电路（2） 4️⃣6️⃣ 光耦合放大电路 4️⃣7️⃣ 差分放大电路 4️⃣8️⃣ 长尾式差分放大电路 4️⃣9️⃣ 镜像恒流源电路 5️⃣0️⃣ 比例恒流源电路 5️⃣1️⃣ 微恒流源电路 5️⃣2️⃣ 加射极输出器的恒流源电路 5️⃣3️⃣ 威尔逊恒流源电路 5️⃣4️⃣ 多路恒流源电路 5️⃣5️⃣ 放大电路的频率响应 5️⃣6️⃣ 输入电容对低频特性的影响 5️⃣7️⃣ 输出电容对低频特性的影响 5️⃣8️⃣ 射极旁路电容对低频特性的影响 5️⃣9️⃣ 晶体管对高频特性的影响 6️⃣0️⃣ 两级阻容耦合放大电路的频率特性 6️⃣1️⃣ 电压串联负反馈电路（1） 6️⃣2️⃣ 电压串联负反馈电路（2） 6️⃣3️⃣ 电压串联负反馈电路（3） 6️⃣4️⃣ 电流串联负反馈电路（1） 6️⃣5️⃣ 电流串联负反馈电路（2） 6️⃣6️⃣ 电压并联负反馈电路（1） 6️⃣7️⃣ 电压并联负反馈电路（2） 6️⃣8️⃣ 电流并联负反馈电路（1） 6️⃣9️⃣ 电流并联负反馈电路（2）每一项实验都深入探索了电子电路的奥秘，从基础到复杂，让你逐步掌握电路设计的精髓。𐟒ᰟ”瀀

𐟔‹ 模拟电子技术基础笔记 𐟓– 𐟎“ 模电数电/电子技术基础，模电第一讲至第三讲笔记，供大家参考哦！ 𐟓Œ 失真类型：线形失真：对不同频率的信号增益不同，导致幅度失真。相位失真：对不同频率的信号相位移动不同。非线性失真：由元器件的非线性特性引起。 𐟔 二极管及其基本电路：二极管：介于导体和绝缘体之间，具有热敏性和光敏性。本征半导体：存在数量相等的自由电子和空穴，导电能力很弱且随环境温度变化。掺杂半导体：掺入杂质后形成N型和P型半导体。 PN结：用于整流电路、限幅电路和开关电路的分析。 𐟒᠂JT主要参数：电流放大倍数：表示放大能力。极间反向电流：集电极-基极和集电极-射极的反向电流。反向击穿电压：表示器件的耐压能力。温度影响：温度变化会影响器件的性能。 𐟔砥…𑥰„极放大电路：静态工作状态：输入信号为零时的直流工作状态。动态工作状态：输入信号不为零时的交流工作状态。希望这些笔记能帮助大家更好地理解模拟电子技术！𐟓š

𐟓š电子技术全解析𐟔슰Ÿ“– 模拟电子技术基础知识半导体：介于导体和绝缘体之间的物质，如硅（Si）和锗（Ge）。特性：光敏、热敏和掺杂特性。本征半导体：纯洁的单晶体半导体。载流子：带有正、负电荷的可移动的空穴和电子。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。 P型半导体：掺入微量三价元素，多子是空穴，少子是电子。 N型半导体：掺入微量五价元素，多子是电子，少子是空穴。杂质半导体的特性：载流子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 𐟔砐N结单向导电性：正偏导通，反偏截止。导通电压：硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。伏安特性：正向导通，反向截止。正向导通压降：硅管0.6-0.7V，锗管0.2-0.3V。死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的上下；等效电路法；直流等效电路法；微变等效电路法。 𐟔頧賥Ž‹二极管及其稳压电路特性：正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 𐟓ᠤ𘉦ž管及其工作原理类型：分为NPN和PNP两种。特点：基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。工作原理：三极管的三种根本组态；三极管内各极电流的分配；共发射极电流放大系数；共射电路的特性曲线。 𐟔砦”𞥤秔𕨷栗„等效模型简化模型：rbe-输出端交流短路时的输入电阻；B-输出端交流短路时的正向电流传输比，常用B表示。 𐟓Š 根本放大电路组成及其原那么组成：VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。组成原那么：能放大、不失真、能传输。图解分析法：直流通路与静态分析；交流通路与动态分析；静态工作点与非线性失真；放大器的动态范围。 𐟔砩›†成运算放大电路组成：将管线结合在一起制成的具有处理模拟信号的电路。特性：集成运算放大电路中的元器件的参数具有良好的一致性。抑制温漂（零点漂移）的方法：直流负反响；温度补偿（利用热敏元件来抵消管子的变化）；构成差分放大电路。失真类型：线性失真（我们所要的,构成电路的放大）；非线性失真（饱和失真、截止失真、交越失真）。耦合方式：直接耦合（低频特性好，便与集成化；存在温漂问题）、阻容耦合（便于计算静态工作点，低频特性差）、变压器耦合（低频特性差，实现阻抗变换；常用于调谐放大电路）、光电耦合。 𐟓ˆ 功率放大电路类型：共发射极电路、共集电极单级放大器、共基极放大器。特点：共发射极电路具有集电极电阻Rc将三极管集电极电流的变化转化成集电极电压的变化；共集电极单级放大器无集电极负载电阻，输出信号取自发射级（发射级电压跟随器）；共基极放大器。

晶体管共射极单管放大器实验报告 𐟔砥ꌧ›„ 学会晶体管共射极单管放大器的基本工作原理。熟悉常用电子仪器及电子技术实验台的使用。 𐟔頥ꌥŽŸ理晶体管共射极单管放大器是一种常见的电子电路，用于实现电压放大。它的核心部分是晶体管，通过调整偏置电阻和电容等元件，可以改变静态工作点，从而影响放大器的性能。 𐟓– 实验设备与器件万用表（自备）直流电压表交流毫伏表示波器（自备）信号源 9011或9013晶体管 𐟔砥ꌥ†…容测量静态工作点：在输入信号为零的情况下，测量晶体管的集电极电流以及各电极对地的电压。测量电压放大倍数：在放大器输入端加入一定频率的正弦信号，调节信号源的输出旋钮，使输入信号大小合适，然后用示波器和交流毫伏表测量输出电压的有效值，计算电压放大倍数。观察静态工作点对电压放大倍数的影响：通过改变偏置电阻等元件，观察静态工作点的变化对电压放大倍数的影响。观察静态工作点对输出波形失真的影响：逐步增大输入信号，使输出电压出现失真，然后测量失真情况下的输入和输出波形，分析失真原因。 𐟓Š 实验结果静态工作点的测量与调试：测量晶体管的集电极电流以及各电极对地的电压，记录数据。电压放大倍数的测量：在输入端加入频率为1KHz的正弦信号，调节信号源的输出旋钮，使输入信号大小合适，然后用示波器和交流毫伏表测量输出电压的有效值，计算电压放大倍数。静态工作点对电压放大倍数的影响：通过改变偏置电阻等元件，观察静态工作点的变化对电压放大倍数的影响。静态工作点对输出波形失真的影响：逐步增大输入信号，使输出电压出现失真，然后测量失真情况下的输入和输出波形，分析失真原因。 𐟔 实验总结温度对实验结果的影响：实验过程中发现温度变化会影响晶体管的性能，导致实测结果存在误差。静态工作点对放大器性能的影响：通过调整静态工作点，可以改变放大器的电压放大倍数和输出波形。失真分析：在调试过程中发现输入信号过大时，晶体管会出现饱和或截止失真，导致输出波形失真。通过调整偏置电阻等元件，可以减小失真现象。 𐟓 实验心得通过这次实验，我深刻理解了晶体管共射极单管放大器的工作原理和性能特点。实验过程中遇到了一些问题，比如温度变化对晶体管性能的影响、静态工作点的调试等，但通过不断尝试和调整，最终取得了满意的结果。这次实验不仅锻炼了我的动手能力，也让我对电子技术有了更深入的了解。

量子计算最新研究进展：能执行现有超级计算机无法实现的计算任务

𐟔 模拟电路基础全解析 𐟤” 差模信号与共模信号有何不同？差模信号是一对大小相等、极性相反的信号，而共模信号则是大小相等、极性相同的一对信号。在差动放大器中，差模输入对应ui1=-ui2，而共模输入则是ui1=ui2。 𐟔젥œ𚦕ˆ应管与晶体管如何选择？在环境条件变化大时，场效应管更合适。它常用于前置放大器，提高输入阻抗并降低噪声。但需要注意的是，场效应管的放大能力通常低于晶体管。 𐟒ᠥŸ𚦜즔𞥤秔𕨷栗„组成要点是什么？发射结正偏，集电结反偏是基本原则。输入回路应确保信号无损加载到放大器，而输出回路则应使输出信号顺畅传递到负载。 𐟔Š 如何实现放大效果？晶体管需偏置在放大区，通过设置静态工作点来确保整个波形处于放大区。输入回路将电压变化转化为基极电流，而输出回路则将集电极电流变化转化为集电极电压变化。 𐟎砥ŠŸ放的要求有哪些？功放应追求高输出功率、高效率、低非线形失真，并确保晶体管的散热和保护。 𐟌 频率补偿的目的和方法是什么？频率补偿旨在改善放大电路的高频特性，并克服负反馈可能导致的自激振荡。常用的补偿方法包括负反馈补偿、发射极电容补偿和电感补偿。 𐟔砦”𞥤秔𕨷謁‘率补偿的目的是什么？频率补偿的目的是为了改善放大电路的高频响应，并防止引入负反馈时可能出现的自激振荡，确保放大器的稳定工作。

双极型晶体管的开关特性详解 𐟚抣## 开关特性的定义 𐟔犥œ襼€关电源等电子设备中，双极型晶体管常常被用作电子开关。它的开关特性指的是晶体管在导通和截止两种状态之间转换的能力。当晶体管处于导通状态时，相当于开关的“接通”；而当晶体管处于截止状态时，则相当于开关的“断开”。开关特性的描述 𐟓ˆ 导通与截止状态 𐟒እＩ€š状态：当基极电流增加时，它会吸引更多的电子从发射区进入基区，并形成集电极电流。当集电极电流达到饱和时，晶体管就被认为已导通。截止状态：当基极电流减小或为零时，基区中的电子和空穴数量减少，导致集电极电流减小或为零。此时，晶体管被认为已截止。开关过程中的时间参数 ⏱️ 延迟时间（ta）：在基极驱动脉冲加入后，集电极电流开始增长之前所需的时间。它正比于发射结电容，反比于发射结的面积。上升时间（tr）：集电极电流从10%增长到90%所需的时间。它取决于晶体管的放大系数（hfe）和基极电流的增长速度。存储时间（ts）：在驱动脉冲截止后，集电极电流从90%降低到10%所需的时间。它反映了基区存储电荷的消散速度。下降时间（tf）：集电极电流从90%降低到10%之后继续下降到零所需的时间。它取决于晶体管的内部结构和工艺。导通时间（ton）为延迟时间（ta）与上升时间（tr）之和，关断时间（toff）为存储时间（ts）与下降时间（tf）之和。这些时间参数共同构成了晶体管的开关特性。开关损耗 𐟔劥œ襯𜩀š和截止过程中，晶体管会处于放大区，其管压降会增大，从而导致功耗增加。这部分功耗被称为开关损耗。导通时间和截止时间越长，开关损耗就越大。影响开关特性的因素 𐟌 晶体管的结构和工艺：不同的晶体管结构和工艺会影响其内部载流子的流动和存储电荷的消散速度，从而影响开关特性。驱动电路的设计：合理的驱动电路设计可以减小延迟时间和上升时间，提高晶体管的开关速度。工作频率：当工作频率升高时，晶体管的开关特性会受到影响。特别是二极管的反向恢复时间，当工作频率过高时，二极管可能无法在正向脉冲后及时恢复其单向导电性。

为啥共集电极r0不等于Rc

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