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to247封装在线播放_to220和to247封装(2024年12月免费观看)

内容来源：卡姆驱动平台所属栏目：导读更新日期：2024-12-02

to247封装

报名直播赢【双肩包、京东卡、水杯】啦！【直播主题】高可靠性IGBT的新选择 —— 安世半导体650V IGBT介绍及其优势【直播时间】2024年12月19日（周四）下午15:00-16:30 【内容要点】产品简介、特点及应用优势【关于新品】安世半导体在传统TO247-3 封装中推出650V IGBT，其具备关断损耗及关断过压尖峰优化，并通过严苛的质量考核，能够给运用提供较低的温升及优秀的效率。【立即报名】网页链接

检查手头的三极管，构思个测试计算机电源的电子负载，用TIP41C[最廉价]来处理12V X 5A=60瓦；用MJE3055T[价格2倍于TIP41C]来处理5V X 10A=50W；如果以上两种有失效，使用TIP3055来代替[价格3倍于MJE3055T]。如果功率不够，可以同电压的并联。不过缺乏散热片的相关经验，一个50/60瓦的TO-220/TO-247封装的散热片该多大？

网页链接东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。

𐟔礻㦍Ⳏ150，UPS电源更安全！ 𐟒ᥜ蕐S系统中，辅助电源部分至关重要，它为控制、监控及关键部件提供稳定电源。若想让UPS更安全、更可靠，选择合适的场效应管是关键。 𐟔常规工程师常选3N150型号场效应管，但纯国产的FHA3N150A是个不错的选择哦！这款MOS管具有TO-247封装，广泛适用于UPS辅助电源电路。 𐟌ŸFHA3N150A的参数相当出色：电流3A、电压1500V，还有低至6.5š„电阻，最高栅源电压ⱳ0V，确保稳定运行。而且，它的反向传输电容只有32pF，最大脉冲漏极电流12A，非常适合UPS辅助电源的需求。 𐟒ꩀ‰择对的型号参数，能让你的UPS产品力大增！飞虹半导体提供的FHA3N150A，已经在UPS辅助电源等多个领域得到广泛应用，品质有保障。 𐟔’为了UPS的安全与稳定，不妨考虑替换成FHA3N150A这款优质的国产MOS管吧！

英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出「CoolSiC」™肖特基二极管2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A至80 A，是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美选择。该产品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，间隙距离为5.4 mm，再加上高达80 A的额定电流，显著提升了功率密度。它使开发人员能够在应用中实现更高的功率水平，而元件数量仅为 1200 V SiC解决方案的一半。这简化了整体设计，实现了从多电平拓扑结构到2电平拓扑结构的平稳过渡。此外，CoolSiC™肖特基二极管2000V G5采用.XT互连技术，大大降低热阻和阻抗，实现了更好的热管理。此外，HV-H3TRB可靠性测试也证明了该二极管对湿度的耐受性。该二极管没有反向或正向恢复电流，且具有正向低电压的特点，确保系统性能更优。 2000 V二极管系列与「英飞凌」2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000 V完美适配。CoolSiC™二极管2000 V产品组合将通过提供TO-247-2封装而得到扩展，该封装将于2024年12月推出。此外，英飞凌还提供了与CoolSiC™ MOSFET 2000 V匹配的栅极驱动器产品组合。

浮思特｜特瑞诺TGHP75N120FDR：高性能IGBT单管的理想选择

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