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碳化硅功率器件在线播放_碳化硅功率器件有哪些(2024年12月免费观看)

内容来源：卡姆驱动平台所属栏目：导读更新日期：2024-11-30

碳化硅功率器件

【红旗汽车首款 1700V 超高压碳化硅功率器件样件开发成功，有望实现 5 分钟快速补能】该功率器件搭载国产 1700V 车规级超高压碳化硅芯片，采用高介电强度封装材料、高耐压封装结构等技术，经过测试，器件工作的最高母线电压可达 1200V。（IT之家）

问个让某些人红温的问题[doge]如果我国的碳化SiC碳化硅功率器件大部分是国外供货，但是这些国外品牌的SiC组件又依赖国产（天岳先进）的SiC衬底那么，谁才是“组装厂”？谁又掌握了“核心技术”呢？

「汽车电池」【红旗1700V碳化硅技术，解锁电动汽车充电“5分钟”时代】近日，由研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功！有力解决用户在驾乘时面临的充电焦虑和里程焦虑问题，为未来适应“千伏”以上高压架构落地，实现5分钟快速补能奠定了坚实基础，进一步拓宽了红旗新能源功率电子产品与技术版图。新技术问世！一汽红旗最新突破

全球电动车市场创新高，中国领跑但芯片依赖成隐忧 2024年9月，全球电动汽车市场创下新的销售纪录，总计售出170万辆电动车。中国市场表现尤为突出，单月销售110万辆，占全球市场66%的份额。年初至9月底，中国市场销量高达720万辆，年增长率达35%。然而，中国电动汽车产业面临过度依赖进口芯片的问题。据工业和信息化部数据，2023年中国汽车产业超过90%芯片需从国外进口，计算和控制类芯片依赖度更高达99%。全球汽车芯片市场主要由国际半导体供应链巨头如瑞萨电子、恩智浦半导体、英飞凌、德州仪器和意法半导体等占据。在国产汽车芯片产业方面，虽然近年来有所发展，但在车规级MCU、碳化硅功率器件、智能座舱芯片、自动驾驶芯片等方面，仍大部分依赖于进口。例如，在车规级MCU市场，主要被国外头部厂商所占据，国产厂商市场份额有限。在碳化硅功率器件市场，前五大国外供应商约占整个市场营收的91.9%。在智能座舱芯片市场，高通骁龙系列依然占据着主导地位。在ADAS/自动驾驶芯片市场，主要被英伟达、Mobileye等厂商占据。为解决芯片依赖问题，中国政府计划2025年将采购本国汽车芯片比例提升到20%~25%，并获得了多家中国电动车厂商的支持。今年前5个月，中国电科、中国电子等企业共销售了2.35亿颗汽车芯片，三家汽车央企共使用1.32亿颗国产汽车芯片。然而，由于汽车芯片要求高可靠性和高稳定性，中国厂商在与国际巨头的竞争中仍处于劣势。中国电动汽车产业暂时领跑全球市场，但芯片过度依赖成为产业发展瓶颈。提升汽车半导体设计和制造技术，有望带动中国电动汽车产业迈向更高质量的发展。 #新能源汽车# #半导体# #半导体芯片#

芯片研报｜国产电动汽车拿下全球66%市场，超九成芯片需进口研究机构Rho Motion的最新调查数据报道称，2024年9月，全球电动汽车市场总计售出170万辆电动车，创下新的销售纪录。其中，以中国电动汽车市场表现最突出，单月销售110万辆刷新纪录，几乎占全球市场66%的份额。 2024年年初至9月底，全球共卖出1,150万辆电动车，其中，中国市场销量高达720万辆，年增长率达35%，明显领先于其他电动汽车市场，凭借强大市场需求和快速增长的销量，成为全球电动汽车市场的领头羊。相比之下，欧洲和北美市场表现疲乏，欧洲市场销量同比减少4%，美国和加拿大的市场虽然持续增长，但同比增幅仅10%。工业和信息化部数据显示，2023年中国汽车产业超过90%芯片需从国外进口，计算和控制类芯片依赖度更高达99%，功率和存储类芯片依赖度达92%。咨询公司Semiconductor Intelligence数据显示，2023年全球汽车芯片市场规模达到670亿美元，国际半导体供应链巨头，如瑞萨电子（Renesas）、恩智浦半导体（NXP）、英飞凌（Infineon）、德州仪器（Texas Instruments）和意法半导体（STMicroelectronics）就占据了全球77%的市场。进一步来看，虽然近年来国产汽车芯片产业也在快速发展，但在车规级MCU、碳化硅功率器件、智能座舱芯片、自动驾驶芯片等方面，仍大部分依赖于进口。 TrendForce数据显示，在2023年全球碳化硅功率器件市场，意法半导体（ST）以32.6%市占率位居第一，安森美（onsemi）则由2022年的第四名跃居第二名，市场份额为23.6%。紧随其后的则是英飞凌（Infineon，16.5%）、Wolfspeed（11.1%）、罗姆半导体（ROHM，8%）。这前五大国外碳化硅功率器件供应商约占整个市场营收的91.9%。随着电动汽车技术的持续发展，汽车芯片成本占比也越来越高，自主可控的重要性也越来越凸显。为解决芯片过度依赖进口问题，政府积极推动汽车芯片国产化。据媒体报道，中国政府计划2025年，将采购本国汽车芯片比例提升到20%～25%，获多家中国电动车厂商支持，如比亚迪（BYD）、上汽、东风汽车、广汽和一汽等。

【一汽红旗攻克电动汽车快速补能关键技术】近日，由中国一汽研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功。相关产品与技术可助力电动汽车补能系统向超高压平台升级，极大缩短充电时间。一汽红旗攻克电动汽车快速补能关键技术

【红旗汽车首款 1700V 超高压碳化硅功率器件样件开发成功】10 月 17 日一汽红旗宣布，由研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款 1700V 超高压碳化硅功率器件样件开发成功。该功率器件搭载国产 1700V 车规级超高压碳化硅芯片，采用高介电强度封装材料、高耐压封装结构等技术，经过测试，器件工作的最高母线电压可达 1200V「李海明专栏」一汽红旗暂未公布该器件的量产搭载时间

「汽车情报局」【红旗1700V碳化硅技术开发成功可实现5分钟快速补能】日前，由研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功。为未来适应“千伏”以上高压架构落地，实现5分钟快速补能奠定了坚实基础，进一步拓宽了红旗新能源功率电子产品与技术版图。据介绍，该功率器件搭载国产先进1700V车规级超高压碳化硅芯片，创新采用高介电强度封装材料、高耐压封装结构等技术，经过测试，器件工作的最高母线电压可达1200V。相关产品与技术可助力补能系统向超高压平台升级，极大缩短充电时间。

SiC功率器件：电力新星功率器件是电力设备中不可或缺的一部分，它们负责电能变换和控制电路。近年来，随着技术的发展，功率器件的种类越来越多，其中碳化硅(SiC)功率器件尤为引人注目。碳化硅是一种由碳和硅组成的化合物半导体材料，因其高温、高频、大功率、高压的特性，被誉为制作现代电力电子设备的理想材料。 𐟔 碳化硅与传统硅材料的区别：禁带宽度是硅的3倍导热率是硅的4-5倍击穿电压是硅的8-10倍电子饱和漂移速率是硅的2-3倍这些特性使得碳化硅在高速、高频、大功率及发光电子元器件中大放异彩。 𐟚— 电动汽车：在电动汽车的电机控制器和车载充电器中，SiC功率器件可以提高能源利用率，缩短充电时间，增加行驶里程。此外，由于体积小、重量轻，有助于减轻车辆的自重。 𐟌ž 光伏逆变：在光伏发电应用中，SiC功率器件可以缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。预计未来会逐渐取代硅基器件。 𐟌쯸 风力发电：风力发电产生的交流电易受风力影响，使得电压、电流不稳定。通过整流为直流电后再逆变成交流电，可以提高效率、降低损耗。使用SiC功率器件，成本和质量分别可以减少50%和25%。 𐟚„ 轨交牵引：利用SiC击穿电压的优势，在相同耐压性能的前提下，SiC单极器件可以带来更低的导通损耗和开关损耗，以及更高工作温度等性能提升。 𐟌Ÿ 未来趋势：随着技术的不断进步和应用需求的增长，SiC功率器件的发展趋势包括提高工作频率、降低损耗、提高集成度等，以适应更高性能要求的电力电子系统。

【热点聚焦】电动汽车5分钟闪充时代来临高压碳化硅受关注 ---------- 　　中国一汽旗下高端汽车品牌红旗18日宣布，其研发总院新能源开发院功率电子开发部成功开发出首款1700V超高压碳化硅功率器件样件，标志着红旗在新能源汽车领域的技术实力再上新台阶。这项技术突破有望解决用户在驾驶电动汽车时面临的充电焦虑和里程焦虑问题，为未来实现5分钟快速补能提供了坚实的技术支持。　　近年以来已有小鹏G6、极氪X、智己LS6、蔚来EC7、智界S7、极氪007、理想MEGA、后续还有小米、问界M9等高压碳化硅车型上市，新能源汽车已强势拉动碳化硅渗透。第三代半导体碳化硅凭借高效率、高功率密度等优异特性，为应用系统“降本+增效”。以新能源汽车主驱为例，根据ST测算，碳化硅逆变器效率比IGBT逆变器高3.4%，可以有效提升续航、节省电池成本。此外，由于碳化硅逆变器体积较小，还可搭载成本更低的冷却系统，从而降低整车成本。随着技术的不断成熟和市场的积极响应，这款功率器件有望为新能源汽车市场带来更多创新和惊喜，推动相关行业快速发展。　　行业公司中，$民德电子(sz300656)$ 在功率半导体硅基器件和碳化硅器件领域均是基于供应链自主可控的战略进行布局；$宇环数控(sz002903)$ 作为数控磨削设备的专业提供商，有可用于以碳化硅为代表的半导体材料加工的磨削和研磨抛光设备，主要应用在半导体材料的磨削和抛光等工序；$天富能源(sh600509)$ 所属参股公司天科合达是国内领先的第三代半导体材料碳化硅晶片生产商，主要从事碳化硅领域相关产品研发、生产和销售。「A股超话」「财经」

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