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cmos门电路在线播放_cmos门电路原理(2024年11月免费观看)

内容来源：卡姆驱动平台所属栏目：导读更新日期：2024-11-28

cmos门电路

𐟓š 数字电路与逻辑设计全攻略𐟔犰Ÿ“– 第一章：数字逻辑概论计算机中的数制转换：十进制、二进制、十六进制。有符号数的补码表示：求补码或从补码求实际数值。 ASCⅡ码概念：字符的ASCⅡ码。 8421BCD码：用BCD码表示十进制数。基本逻辑运算：与、或、非、与非、或非、异或、同或等。逻辑函数的五种表示法：真值表、逻辑表达式、逻辑图、波形图、卡诺图。 𐟔 第二章：逻辑代数逻辑代数的基本定律和恒等式：摩根定理。逻辑代数的基本规则：代入、反演、对偶规则。 “与或”表达式变换为“与非”和“或非”的方法。逻辑函数的代数化简方法：并项法、吸收法、消去法、配项法。卡诺图的特点：每个小方格对应一个最小项，函数等于卡诺图中为1的方格所对应的最小项之和。用卡诺图化简逻辑函数的方法。无关项的概念：真值表内对应于变量的某些取值，函数的值是任意的，这些变量取值对应的最小项称为无关项。 𐟚€ 第三章：MOS逻辑门电路数字集成电路的分类：从小规模到超大规模。 CMOS的特点：功耗低、抗干扰能力强、电源范围宽。集成电路的各种参数：L(max)、高电平噪声容限、低电平噪声容限、传输延迟时间等。漏极开路门、三态门的作用。 CMOS传输门的作用。门电路相接时需要考虑的问题：电平兼容和扇出问题。抗干扰措施：多余端的处理、去耦滤波电容、接地。 𐟒ᠧ쬥››章：组合逻辑电路组合逻辑电路的分析方法：写逻辑表达式、列出真值表、确定功能。组合逻辑电路的设计方法：明确功能要求、列出真值表、写出逻辑表达式、画出逻辑图。编码器、译码器、数据分配器、数据选择器、比较器、半加器和全加器的工作原理。 74LS138、74LS139作为译码器和数据分配器时的应用。 𐟔’ 第五章：锁存器和触发器逻辑门控RS锁存器的工作原理：画波形图。传输门控D锁存器的工作原理：画波形图。 D触发器的工作原理：Qn+1=D，画波形图。 J、K触发器的工作原理：Qn+1=J，画波形图。 T触发器及T'触发器的工作原理及功能：画波形图。用D触发器实现J、K触发器、T触发器及T'触发器的方法。 ⏰ 第六章：时序逻辑电路同步时序逻辑电路的分析方法：写出三组方程组、列出状态表、画出状态转换图、确定功能。同步时序逻辑电路的设计方法：建立原始状态图、进行化简、确定触发器类型、确定激励和输出方程组、画出逻辑图并检查自启动能力。异步时序逻辑电路的分析方法。寄存器及移位寄存器的工作原理。 74LS161计数器的工作原理：清零法和置数法设计计数器。 𐟒𞠧쬤𘃧렯𜚥혥‚襙芥혥‚襙觚„分类、特点及主要参数的意义。 ROM和SRAM的工作原理。 SRAM存储容量的扩展方法。 𐟌Š 第八章：脉冲波形的变换与产生单稳态触发器、施密特触发器及多谐振荡器的工作原理。单稳态触发器和施密特触发器的应用。

CMOS电路功耗优化：从理论到实践 𐟚€⚡ 1. 𐟔‹ 静态功耗与动态功耗：CMOS电路在静态时的功耗几乎为零，而主要功耗来源于电路状态的变化，即动态功耗。随着工艺尺寸的缩小，器件数量的增加和时钟频率的提高，静态功耗也逐渐变得不可忽视，特别是在90nm工艺节点之后。 𐟚꠩—觔𕨷呂稃𝤸Ž功耗的权衡：好的门电路应该具备快速的速度和低的功耗，但这两者之间存在矛盾。提高速度可能导致功耗增加，而降低功耗可能需要牺牲一定的性能。 𐟓Š 功耗延时积（Power-Delay Product, PDP）：PDP是衡量电路质量的一个指标，定义为平均功耗（Pav）与延时（tp）的乘积。它表示开关一个门所需的能量。 ⚡ 能量-延时积（Energy-Delay Product, EDP）：EDP是更准确的评判指标，考虑性能和能量的乘积。EDP的计算公式为EDP = PDP * tp ，其中P是电源电压。这个指标强调在保证电路正确开关的前提下，电压越低，功耗越低，电路性能更优。 𐟎€稃𝤸Ž功耗的平衡：在选择门电路时，不能单一地考虑性能或功耗，而应该综合考虑两者的平衡，以达到最优的能效比。

基本门电路测试实验报告 𐟔 实验目的与分析本次实验旨在测试基本门电路的性能，通过对比TTL和CMOS门电路的特点，深入了解它们的优缺点。 𐟓Š 实验数据与计算根据实验数据，我们可以得到以下结论： TTL与非门的电源电压稳定在5V左右。对于不用的输入端，TTL门电路应接高电平，以避免引入干扰。 CMOS与非门的电源电压对输入信号的微小变化敏感。 CMOS门的开关速度通常优于TTL门。 𐟔砥ꌧ𛓦žœ与讨论通过对比实验结果，我们发现： TTL电路通常有较大的容限，对电源电压的波动较为敏感。 CMOS电路的噪声容限较小，但对电源电压的微小变化更为敏感。 CMOS门的传播延迟通常低于TTL门。 CMOS门的开关速度优于TTL门。 𐟒ᠦ€考题解答思考题1：TTL和CMOS与非门的输入端如何处理？为什么？解答：对于TTL与非门，不用的输入端应接高电平，以避免引入干扰。思考题2：为什么CMOS门的开关速度通常优于TTL门？解答：CMOS门的传播延迟通常低于TTL门，因此开关速度更快。 𐟓‹ 注意事项 TTL与非门的电源电压应稳定在5V左右。对于不用的输入端，TTL门电路应接高电平。 CMOS与非门的不同的输入端不能悬空，需按照逻辑功能要求接Vcc或Vss。通过本次实验，我们深入了解了基本门电路的性能特点，为后续的数字电路设计提供了宝贵的经验。

华为芯片与器件设计工程师笔试指南嘿，准备参加华为芯片与器件设计工程师笔试的小伙伴们，欢迎来到这份详细的笔试指南！这份指南将帮助你更好地理解考试范围和复习要点，赶紧收藏吧！数字集成电路与系统设计 𐟓ˆ 数字集成电路是华为笔试的重点之一。你需要熟悉数字芯片的设计，包括基本的数字电路和系统设计。此外，SystemVerilog验证也是必考内容，编写测试平台是常见题型。 Verilog与半导体制造技术 𐟛 ️ Verilog-2001是考试的另一个重点，你需要掌握这门编程语言的基本语法和编程技巧。同时，半导体制造技术也是必考内容，包括CMOS集成电路工艺制程和集成电路封装测试。 ASIC芯片设计与验证 𐟔犁SIC设计流程、物理设计和验证流程以及DFT设计与验证是考试中经常出现的题型。你需要熟悉这些流程，掌握基本的ASIC芯片设计技术。模拟电路与版图基础 𐟓𒊦衦‹Ÿ电路和模拟版图基础也是考试的重要部分。你需要了解模拟集成电路设计的基本原理，掌握工艺库模型和SPICE仿真模拟电路设计的方法。集成电路制造与工艺 𐟏튩›†成电路制造与工艺是考试中不可或缺的一部分。你需要熟悉CMOS集成电路工艺制程和集成电路封装测试的基本知识。半导体物理与可靠性 𐟧슥Š导体物理与可靠性也是考试的重点之一。你需要了解半导体理论基础、半导体器件和材料基础知识，以及半导体业界厂家的基本情况。模拟电路与数字电路 𐟔⊦衦‹Ÿ电路和数字电路是考试中经常出现的题型。你需要掌握基本的模拟电路和数字电路设计技术，以及相关的数学基础（如概率论与数理统计）。射频芯片与光芯片 𐟓እ𐄩⑨Š柳‡和光芯片也是考试的一部分。你需要了解射频电路和光子集成技术的基本原理，以及相关的物理基础。处理器开发与大规模集成电路设计 𐟒𛊥䄧†器开发和大规模集成电路设计是考试中的重点内容。你需要熟悉计算机原理与设计、数字电路、大规模集成电路设计以及数据结构与算法等基础知识。光通信与半导体材料 𐟌 光通信和半导体材料也是考试的一部分。你需要了解光纤通信、激光二极管与光子集成技术、导波光学等基础知识。总结这份笔试指南涵盖了华为芯片与器件设计工程师考试的主要内容。希望这份指南能帮助你更好地备考，顺利通过笔试！加油！𐟒ꀀ

低阈值电压逻辑门：速度与功耗的权衡 𐟚€⚡ 在CMOS集成电路设计中，LVT（Low Voltage Threshold）逻辑门是一个备受关注的术语。它指的是那些具有低阈值电压的逻辑门，这些逻辑门在设计时被特别用于那些对时序要求非常高的电路路径。由于它们的高速性能，LVT逻辑门在时序关键路径上大放异彩，但与此同时，由于漏电流较大，它们的功耗也相对较高。 𐟔砥œ褸同的工艺节点下，LVT逻辑门的阈值电压和性能会有所不同。例如，在28nm工艺中，LVT逻辑门的阈值电压可能低于150 mV，这取决于器件的尺寸和工艺参数。工程师在设计时会根据电路的性能和功耗要求，选择合适的LVT、HVT（High Voltage Threshold）或SVT（Standard Voltage Threshold）逻辑门。 𐟌 在实际应用中，LVT逻辑门的使用需要仔细考虑，因为它们可能会对芯片的整体功耗和性能产生显著影响。设计人员通常会在满足时序要求的同时，尽量减少LVT逻辑门的使用，以优化功耗。此外，不同的Vt（阈值电压）类型的逻辑门在设计中的使用，也与电压和温度等因素有关，设计人员需要综合考虑这些因素来选择最合适的逻辑门类型。 𐟓ˆ 选择合适的逻辑门类型对于优化芯片的性能和功耗至关重要。LVT逻辑门虽然在速度上有优势，但它们的高漏电流可能会导致功耗增加。因此，在设计过程中，需要在时序要求、功耗和性能之间找到平衡点。

如何提高产品的抗干扰能力和电磁兼容性在研制带MCU数字处理器的电子产品时，如何提高抗干扰能力和电磁兼容性？一、下面的一些系统要特别注意抗电磁干扰：　　1、微控制器时钟频率特别高，总线周期特别快的系统。　　2、系统含有大功率，大电流驱动电路，如产生火花的继电器，大电流开关等。　　3、含微弱模拟信号电路以及高精度A/D变换电路的系统。二、为增加系统的抗电磁干扰能力采取如下措施：　　1、选用频率低的微控制器：　　选用外时钟频率低的微控制器可以有效降低噪声和提高系统的抗干扰能力。同样频率的方波和正弦波，方波中的高频成份比正弦波多得多。虽然方波的高频成份的波的幅度，比基波小，但频率越高越容易发射出成为噪声源，微控制器产生的最有影响的高频噪声大约是时钟频率的3倍。　　2、减小信号传输中的畸变　　微控制器主要采用高速CMOS技术制造。信号输入端静态输入电流在1mA左右，输入电容10PF左右，输入阻抗相当高，高速CMOS电路的输出端都有相当的带载能力，即相当大的输出值，将一个门的输出端通过一段很长线引到输入阻抗相当高的输入端，反射问题就很严重，它会引起信号畸变，增加系统噪声。当Tpd＞Tr时，就成了一个传输线问题，必须考虑信号反射，阻抗匹配等问题。　　信号在印制板上的延迟时间与引线的特性阻抗有关，即与印制线路板材料的介电常数有关。可以粗略地认为，信号在印制板引线的传输速度，约为光速的1/3到1/2之间。微控制器构成的系统中常用逻辑电话元件的Tr（标准延迟时间）为3到18ns之间。　　在印制线路板上，信号通过一个7W的电阻和一段25cm长的引线，线上延迟时间大致在4~20ns之间。也就是说，信号在印刷线路上的引线越短越好，最长不宜超过25cm。而且过孔数目也应尽量少，最好不多于2个。　　当信号的上升时间快于信号延迟时间，就要按照快电子学处理。此时要考虑传输线的阻抗匹配，对于一块印刷线路板上的集成块之间的信号传输，要避免出现Td＞Trd的情况，印刷线路板越大系统的速度就越不能太快。

2024年5G NR接收机LNA设计解析让我们深入探讨一下这篇论文的标题：“A Gain Reconfigurable CMOS Wideband LNA for Sub-7GHz 5G NR Receiver”。首先，标题中的“增益可配置”实际上是通过调整负载来实现的，这并不复杂，只是增加了一个反馈回路，如图2所示。论文还提出了一些扩展带宽的技术。值得注意的是，Sub-7GHz这个频率范围，传统上被称为Sub-6GHz，但现在5G协议中FR1频段的最高频率已经达到了7125MHz，因此Sub-6GHz的称呼需要更新。电路结构相对简单，采用两级共源结构，不讨论输出Buffer。第一级看起来复杂，但实际上是将NMOS拆分成两部分，中间用一个电感隔开。这个电感与两个N管的输入寄生电容Cgs构成了𝢥Œ𙩅，从而扩展了S11带宽。电阻反馈共源结构实现了阻抗实部，完成了宽带输入匹配。Ld和Lp分别形成了并联达峰和串联达峰技术，提升了S21的带宽和平坦度。这与2024年那篇TMTT上的技术如出一辙，应该是常用的技术。第二级通过传输门做开关，实现了增益可变。不过，输出Buffer电路中的M5路径我尚未理解其作用。图3展示了不同协议下LNA的噪声系数、线性度和增益的要求，但具体的计算方法没有详细说明。参考文献[2]提供了更多信息。

𐟔⠥Š加器等电子电路元件概览 𐟧 探索数字电子世界，怎能少了半加器？𐟒ᠥŠ加器，作为电子电路中的重要元件，与OC门、三态输出门、CMOS传输门等一同构成了丰富多彩的电子电路世界。𐟔 无论是全加器、编码器、译码器，还是数据分配器、数值选择器，它们都在数字电子技术中扮演着不可或缺的角色。𐟒ꠤ𘀨𕷨𕰨🛨🙤𚛧垥凧š„小黑盒，揭开它们背后的神秘面纱吧！✨ 𐟓– 相关阅读： - 了解OC门与三态输出门的工作原理 - 探索CMOS传输门的独特之处 - 深入理解半加器的运算机制 - 掌握全加器的设计与应用 - 学习74LS148编码器的编码技巧 - 领略74LS138译码器的译码魅力 - 七段数码管显示技术的奥秘 - 数据分配器的数据分流能力 - 数值选择器的灵活应用 - 数值比较器的精准比较功能 - 基本SR锁存器的稳定存储能力 - 同步RS触发器的时序控制 - 同步D触发器的数据存储特性 - 主从JK触发器的状态转换能力 - 边沿触发器的灵敏响应 - 74LS161计数器的计数功能 - 74LS160异步计数器的独特设计 - 74LS194寄存器的数据存储与读取 - 555定时器的多功能应用

𐟔砧”𕥊›设备硬件工程师面试全攻略 𐟒ኰŸŒŸ 岗位名称：资深硬件工程师 𐟌Ÿ 公司地址及部门：南京雨花区花神大道中兴研发一号楼中央研究院 𐟌Ÿ 职位信息来源：猎头推荐 𐟌Ÿ 公司简介：思源电气股份有限公司成立于1993年12月，2004年8月5日在深圳证券交易所成功上市，是国内知名的专业研发和生产输配电及控制设备的高新技术企业、国家重点火炬计划企业，是电力设备制造与服务业中发展最快的上市公司之一。 𐟓 一轮：笔试 𐟓… 面试和笔试由企业HR亲自添加人才微信，预约时间开展笔试和面试。共计10题，时间45分钟完成。这套题是很基础的题目，很多企业都会用到，比如汉王科技，所以面试前的刷题也是有必要的。题目如下：请设计一个简单的一阶低通滤波回路，截止频率为1kHz，并简单说明。请设计一个用D触发器实现2倍分频的逻辑电路，简单画个逻辑并说明。请描述一下TTL、CMOS的电平逻辑。请画出二极管和电阻组成的二输入与门、二输入或门。请问下图电路中二极管D1、D2有什么作用？简要画出BUCK电路的拓扑结构，并说明它的环路稳定准则。已知电路如下图所示，V1为理想二极管，试分析：二极管导通还是截止？UAO=？设计一个运放电路，用于接入变比为2mA:2mA微型电流互感器的输出信号，运放输出接至AD采样电路，该互感器额定输出电流为1.4mA，饱和倍数为2倍，后端AD采样电路输入交流电压范围ⱵV，并谈谈该电路的优缺点。 CPU小系统上电后没有运转，请简单说明主要从哪些方面进行排查？你是否有过EMC整改经验？有一台设备辐射发射（RE）超标，频点为375M和625M，进行整改，应如何着手？ 𐟓𚠤𚌨𝮯𜚦Š€术视频面试 𐟓… 一轮笔试通过后，第二天预约了二轮面。面试前HR会让填一份《职位申请表》，内容详尽如背景调查。面试官是企业硬件组经理，同样的自我介绍从业经历，注意表达清晰，对自己所做的内容描述清楚，流畅，沟通无障碍。由于是硬件设计，面试官会问具体的硬件设计知识，EMC知识，MCU开发能力，交采精度影响因素，AD芯片选型等技术细节。

𐟓š圣邦微25届秋招集成电路笔试题大揭秘𐟓– 最近真是心累了，原来心仪的企业都开始秋招了，结果一个也没轮到我，真是破防了𐟘‚。不过，还是希望我的笔记能对后来者有所帮助。也许我应该考虑转行了，哎，再见吧𐟑‹。如何成为一个出色的模拟设计师？门锁效应：画出横截面示意图和寄生三极管电路，分析原因和解决方法。全差分运放的共模增益和共模抑制比： AVDD 2RD 2RD vo11 Vo2 Vi1 Vi2 gm1 gm2 Vp 多RS (Vo1-Vo2)(Vi1-vi2) CMRR=? DCDC电源控制方案：分析电压控制和电流控制的优缺点。 PMOS替换M2：如果将M2替换为PMOS，需要做哪些改动以保持电路正常工作？请确认Vin的范围内，电路仍能正常工作。 NPN晶体管的横截面图：假设P型衬底和N型外延层，画出NPN晶体管的横截面图。 CMOS工艺中的PNP形成：分析在标准CMOS工艺中为何形成PNP而非NPN。 Vout波形：当开关SW1在t=0秒闭合时，画出预期的Vout波形。Vout是直流电流源。 Vout vs Vi：对于给定电路，画出Vout与Vi的关系图。 SR锁存器：画出SR锁存器的门级电路图。 N-channel MOSFET的Channel Length Modulation：定义“Channel Length Modulation”，并给出N-channel MOSFET在饱和区的漏极电流公式。考虑Channel Length Modulation时，公式如何变化。电路计算：对于给定电路，计算Vout的值。增益和Cc的作用：分析电路的增益和Cc的作用，加入Cc前后电路的零极点位置变化。希望这些题目能帮到你们，祝大家秋招顺利！𐟒ꀀ

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