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导通电阻最新视觉报道_导通电阻是什么意思(2024年12月全程跟踪)

内容来源：卡姆驱动平台所属栏目：热点更新日期：2024-11-30

导通电阻

NMOS做上管？DCDC设计里的关键点在电路设计领域，选择合适的晶体管类型至关重要。虽然PMOS通常被用作上管，但在许多DCDC电源设计中，NMOS也扮演着重要角色。𐟤” 那么，NMOS真的不能做上管吗？让我们一起来探讨这个问题。 𐟔 首先，让我们看看为什么在某些情况下选择NMOS作为上管。尽管NMOS在导通时需要更高的驱动电压，但它们在某些应用中仍具有优势。例如，在DCDC电源中，高电压驱动内部NMOS的需求是常见的。 𐟒ᠧ„𖨀Œ，使用NMOS作为上管也存在一些挑战。最大的问题在于，当NMOS导通时，必须确保Vg-Vs > Vgs_th。这意味着需要产生一个高于电源电压的驱动电压，这无疑增加了电路的复杂性。 𐟒𜠥𐽧悦�𜌎MOS在某些方面仍然优于PMOS。例如，NMOS的导通电阻更低，这使得它在高速开关应用中更具优势。在DCDC电源中，使用低阻抗的NMOS可以降低开关损耗，提高电源效率，并减少发热量。 𐟔砩‚㤹ˆ，如何产生一个高电压来驱动内部的NMOS呢？答案是通过使用自举电容和内部的自举电路。利用“电荷泵”原理，可以产生一个比输入电压更高的电压，从而驱动内部的NMOS。 𐟓ˆ 总结来说，虽然NMOS在导通时需要更高的驱动电压，但它在某些应用中仍然是一个可行的选择。通过合理的设计和配置，可以充分利用NMOS的优势，同时克服其缺点。在DCDC电源设计中，选择合适的晶体管类型是确保系统性能和可靠性的关键。

网页链接东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。

Linear Systems的J174、J175、J176、J177系列P沟道JFET开关采用小型DFN封装，具有低导通电阻（≤85𜉥’Œ低栅极开启电流（10pA），可替代Fairchild和Siliconix-Vishay零件。这些开关提供DFN 8L、TO-92 3L、SOT-23 3L及裸片封装，适用于需要低电阻和低工作电流的开关应用

英飞凌300毫米GaN晶圆技术突破英飞凌成功开发出全球首个300毫米功率氮化镓（GaN）晶圆技术，标志着功率半导体领域的重大突破。这一技术不仅提高了生产效率、降低了成本，还展示了GaN在性能上的显著优势，如更高的击穿电压、能效、更低的导通电阻和更好的热导性能。英飞凌通过利用现有的大规模300毫米硅制造技术，最大化了资本效率，加速了GaN产品的市场扩展。预计未来几年内，GaN器件在许多应用场景中的价格优势将逐渐显现，推动其在工业、汽车、消费电子等领域的广泛应用。

同型号MOS管通过串联提高耐压是可行的，但需注意以下几点：原理分析：在串联电路中，各个元件承受的总电压是相等的，因此当多个同型号MOS管串联时，每个管子承受的电压将会降低，总的电压耐压将是各个MOS管电压耐压之和，从而提高整体的耐压能力。性能参数：尽管是同型号的MOS管，其性能参数（如阈值电压、导通电阻等）也可能存在一定的差异。这些差异可能会导致在串联连接中，电流在不同管子之间的分配不均等。如果某个管子的电流过大，可能会导致其过热甚至损坏，从而影响整个电路的稳定性。热稳定性：在高压工作条件下，MOS管会产生一定的热量。如果散热不良，可能会导致管子温度过高，影响其性能和寿命。因此，在选择串联管子时，需要充分考虑其热稳定性和散热性能。为确保串联连接的稳定性和可靠性，可以采取以下措施：选取性能参数相近的管子进行串联，以减少电流分配不均等问题。在电路中增加散热装置，提高管子的散热性能。通过合理的电路设计，如增加限流电阻等，来保护管子免受过大电流的损害。综上所述，同型号MOS管通过串联提高耐压是可行的，但需注意性能参数、热稳定性以及采取相应措施来提高连接的稳定性和可靠性。

Solitron公司生产的JAN/JANTX/JANTXV标准小信号JFETs，提供N型和P型两种类型，导通电阻小于25𜌧𛏨🇓级等效筛选，是Vishay和Siliconix产品的优越替代品。

SGM2571/2⠂ PIN⠔O⠐IN⠂ FPF1204⠂ TPS22915 广范运用：●⠧绥Š訮𞥤‡和智能手机；⠦•𐧠相机；SSD硬盘；可穿戴式设备；平板和笔记本电脑 ●⠱V至5.5输入电压 ●⠱A最大持续电流 ●⠤𝎥Ｉ€š电阻 RON=34m𜈖IN=5V时） RON=34m𜈖IN=3.3V时） ●⠹0nA低关断电流 ●上升时间 SGM2571AD：85 SGM2571BD：1600 SGM2571CD：2200

H桥电路设计为什么不用pMOs ‌H桥电路设计不选用PMOS的原因‌ ‌成本考虑‌：NMOS相比PMOS在制造成本上更低，且工艺更简单，因此更经济实用。 ‌耐压与电流能力‌：NMOS通常具有更高的耐压能力和更大的电流承受能力，更适合高压大电流的应用场景。 ‌导通电阻‌：NMOS的导通电阻一般比PMOS小，这意味着在导通状态下，NMOS的功耗更低，效率更高。 ‌市场供应‌：对于高耐压和大电流的型号，NMOS的市场供应比PMOS更为充足，选择更多。综上所述，H桥电路设计中不选用PMOS主要是出于成本、性能以及市场供应等多方面的考虑。在实际应用中，NMOS因其优越的性能和经济性而成为H桥电路中的首选开关元件‌12。

Behlke固态开关，充电新选择！ Behlke固态开关HTS 051-120-B是一种高性能的半导体开关，广泛应用于快速充电和放电领域。以下是关于Behlke固态开关的详细介绍、应用场景以及工作原理。一、Behlke固态开关HTS 051-120-B介绍 Behlke固态开关HTS 051-120-B采用混合技术制造，结合了硅基半导体和宽禁带半导体的优点。它具有高开关速度、低导通电阻、高耐压和低泄漏电流等特性，特别适合需要高效率、高功率密度和快速响应的应用。二、快速充电和放电应用快速充电和放电是Behlke固态开关HTS 051-120-B的重要应用领域之一。随着电动汽车、移动设备和其他便携式电子设备的发展，对快速充电和放电的需求日益增长。使用Behlke固态开关HTS 051-120-B可以实现以下优点：高效率：由于低导通电阻和高开关速度，Behlke固态开关可以大大降低能量损失，提高充电和放电过程的效率。快速充电：快速的开关响应时间可以缩短充电时间和周期，从而提高充电效率。高功率密度：高耐压和高电流能力使得Behlke固态开关能够实现高功率密度，满足高负载充电和放电需求。可靠性：相比传统的机械开关，Behlke固态开关具有无机械磨损和长寿命等优点，可以保证充电和放电系统的长期稳定运行。三、原理分析 Behlke固态开关HTS 051-120-B的工作原理主要基于宽禁带半导体材料（如硅碳化物或氮化镓）的高电子迁移率和硅基半导体的成熟工艺技术。其核心部分由一个硅基MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和一个宽禁带半导体构成的复合开关组成。导通状态：在导通状态下，电流通过硅基MOSFET和宽禁带半导体构成的复合结构。由于宽禁带半导体的高电子迁移率，电流在复合结构中流动时能量损失较小，从而实现高效率的导通。开关状态：在开关状态下，通过控制宽禁带半导体的极化状态，可以实现快速的开关响应。这种快速的开关响应使得Behlke固态开关能够在极短的时间内完成充电和放电动作，从而提高了系统的效率。

MOS管限流电路是一种利用MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）作为电子开关来限制通过电路的电流，防止过大的电流对系统中的其他元件造成损坏的设计。以下是对MOS管限流电路的详细解释：工作原理电流检测：电路中包含一个电流检测电阻（也称为取样电阻），串联在主回路中。当通过负载的电流增大时，该电阻上产生的电压也随之增大。电流检测电阻上的压降被转化为可以处理的电压信号，并通过运算放大器或其他比较器电路进行放大和比较。这个比较过程是基于预设的限流阈值。驱动MOSFET：当实际电流超过预设限值时，比较器输出信号改变状态，驱动MOSFET栅极。若使用N沟道MOSFET，当电流过大时，提高栅极电压使MOSFET更快地进入截止状态，达到限制电流的目的。若使用P沟道MOSFET，则当电流过大时，MOSFET的栅极电压会降低，导致其源极到漏极之间的导通电阻增加，从而减少通过负载的电流。反馈机制：系统通常设计有适当的反馈机制以确保限流功能在设定阈值下能够迅速响应并维持稳定的电流。当电流回落至安全范围内时，MOSFET将重新回到低阻抗状态，允许正常电流通过。应用场景 MOS管限流电路在电源管理、电池充电、电机驱动等应用中非常常见，有助于提高系统的可靠性和使用寿命，避免因过载或短路导致的元器件烧毁问题。电路特点精确限流：通过预设的限流阈值和比较器电路，可以精确地控制通过电路的电流大小。快速响应：由于系统设计了反馈机制，当电流超过预设限值时，MOSFET能够迅速响应并限制电流。保护元件：通过限制电流大小，可以防止过大的电流对电路中的其他元件造成损坏。注意事项选择合适的MOSFET：根据电路的具体需求和参数要求，选择合适的MOSFET型号和规格。合理设计电路：确保电路中的电流检测电阻、运算放大器或比较器电路等元件的参数和性能满足设计要求。注意散热：由于MOSFET在工作过程中会产生一定的热量，因此需要合理设计散热措施以确保电路#热点引擎计划#

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