当前位置：网站首页 » 教程 » 内容详情

光电二极管前沿信息_光电二极管及其放大电路设计(2024年11月实时热点)

内容来源：卡姆驱动平台所属栏目：教程更新日期：2024-11-27

光电二极管

德克萨斯仪器取得用于光电二极管电流放大器的集成失调电压的装置专利

网页链接全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，在其现有为光学传感器而特别优化的180nm CMOS半导体工艺平台——XS018上，现推出四款新型高性能光电二极管。丰富了光电传感器的产品选择，强化了X-FAB广泛的产品组合。

中国科学院合肥物质科学研究院Infomat：MoTe₂/Si 2D-3D异质结光电二极管短波红外计算成像中国科学院合肥物质科学研究院Infomat：MoTe₂...

这台相机是来自未来还是过去？ 𐟓𘯼š还记得SIGMA Foveon X3 CMOS的魅力吗？ 𐟧€：科普一下SIGMA Foveon X3 CMOS的工作原理：与传统拜尔马赛克阵列排布像素不同，Foveon X3传感器借鉴了彩色胶片三层染色剂的堆叠方式，从上至下排列了三层光电二极管，每一层分别记录蓝、绿和红色光线的强度。相比只能记录RGB其中之一数据、需要插值“猜”色彩的拜尔阵列传感器，Foveon X3传感器理论上每一个像素位置便可读取三层的色彩信息数据，自然就更丰富更炸裂。相机：SIGMA dp2 Q

「中国科学技术大学在紫外波段单光子激光雷达方向取得新进展」[威武]近日，中国科学技术大学张军等联合南京大学陆海、张荣团队在紫外波段单光子激光雷达方向取得新进展，通过设计制备基于4H-SiC材料的单光子雪崩光电二极管，发展主动淬灭主动恢复读出电路技术，研制出具有实用价值的紫外半导体单光子探测器，利用该探测器首次实现了单光子差分吸收臭氧激光雷达系统，并实现1~3.5km高度范围内的臭氧浓度监测，相关成果发表于《应用物理快报》[Appl. Phys. Lett. 125, 211103 (2024)]。 [鲜花]紫外单光子探测技术在大气环境监测、尾焰探测、电弧检测和火灾预警等应用场景中发挥着重要作用。光电倍增管是紫外波段传统的单光子探测器件，但具有灵敏度低、寿命短、磁场敏感等劣势，无法在恶劣环境中（高温、震动、强辐射）长时间稳定工作。相比之下，宽禁带半导体4H-SiC材料具有热导率高、抗辐射能力强、电子饱和漂移速度高以及性能稳定等特点，在研制新型紫外半导体单光子探测器方面具有显著的材料性能优势。然而，长期以来基于该材料的单光子探测器性能指标差，特别是探测效率极低、暗计数率极高，使得该类型单光子探测器不具有实用价值。 [打call]中国科大、南京大学团队近年来致力于紫外半导体单光子探测器的联合攻关，取得了一系列新突破。2023年，研究团队通过优化4H-SiC单光子雪崩光电二极管新型倾斜台面结构和制备工艺，并发展被动淬灭主动恢复读出电路技术，首次研制出了具有实用价值的小型化4H-SiC单光子探测器样机，在266 nm波段探测效率为10.3%、暗计数率为133 kcps[Rev. Sci. Instrum. 94, 033101 (2023)]。此后，研究团队利用该探测器，首次演示了紫外波段单像素单光子成像实验，在接收光强约6pW的条件下实现了单光子成像，成像分辨率为192㗱92像素，帧率为4fps [Appl. Phys. Lett. 123, 024005 (2023)]。 [全力以赴]在此基础上，研究团队在4H-SiC单光子探测器性能指标方面持续开展攻关。一方面，通过迭代优化4H-SiC单光子雪崩光电二极管结构和工艺提升了器件的单光子探测效率；另一方面，针对4H-SiC单光子雪崩光电二极管器件的特征发展了新型主动淬灭主动恢复读出电路，在有效抑制探测器后脉冲概率的同时显著提升了饱和计数率。经表征，新探测器在266nm波段探测效率达16.6%、暗计数率为138kcps、后脉冲概率为2.7%、饱和计数率达13Mcps，基本满足了紫外单光子激光雷达应用对单光子探测器的性能需求。 [超人爸爸]研究团队利用该探测器首次在单光子差分吸收臭氧激光雷达系统中开展相关应用，该激光雷达系统将289nm和316nm的脉冲激光同时垂直发射到大气中，由于臭氧分子对两种波长激光的吸收系数不同，通过对比两种激光回波信号的衰减速度可以反演出大气不同高度处的臭氧浓度。为了进行数据比对，实验中将回波信号分为两路，分别用传统的光电倍增管和新型4H-SiC单光子探测器进行探测和数据反演，实验结果表明在1~3.5km范围内使用两种探测器反演出的臭氧浓度分布高度吻合。上述工作为紫外波段单光子激光雷达提供了一种高性能、高环境耐受性的实用化解决方案。

【X-FAB新一代光电二极管显著提升传感灵敏度】稳健、可靠的器件不仅增强光谱响应速度，同时大幅提升信噪比特性网页链接「张国斌的芯发布」

芯片的诞生与演变：一场科技革命的旅程 𐟌 芯片的历史并不长，只有60多年，但它的起源可以追溯到100多年前。在这一个多世纪里，半导体技术的创新故事层出不穷，其本质是叛逆精神的不断展现。 𐟓š 本书从量子力学开始讲述，逐步演化为半导体物理学，进而催生出半导体器件。这些器件从简单到复杂，就像一颗发芽的种子，最终发展出双极型晶体管、MOS场效晶体管、光电二极管等，进而集成了模拟芯片、数字芯片和光电芯片等。 𐟔砨Š柳‡的设计和制造方法也从手工逐步发展为自动化。本书展示了芯片产业从无到有的发展过程，以及它面临的挑战和可能的解决方案。 𐟌𑠥悦žœ说芯片产业是一棵大树，那么这棵大树的根是物理、化学和材料等基础学科。树干是半导体技术，各种器件和芯片组成了它的枝叶，这棵树不断地向上、向外拓展。 𐟌🠦ˆ‘们现在已经抵达高高的树冠，在枝丫的末端，最新的嫩芽刚刚萌发。摩尔定律提出50周年时，摩尔用一句话总结了过去几十年芯片的演变和救赎之路——“一切过往皆可超越。” 𐟑颀𐟎“ 芯片的发展离不开那些关键少数的卓越科学家，他们提出创新概念，在当时意味着反叛，甚至被孤立，但他们持之以恒为之努力，最终推动芯片行业不断发展，令人感动，为我们面对挫折提供了借鉴。 𐟌 芯片产业也面临一些问题，比如有害物质排放、电力大量消耗和热量排放、大数据时代隐私等等。如果您对芯片感兴趣，这本书会是你不错的选择。

【我国学者研制出新型紫外波段单光子激光雷达】科技日报：记者26日从中国科学技术大学了解到，该校张军等人联合南京大学陆海、张荣团队通过设计制备单光子雪崩光电二极管，发展主动淬灭主动恢复读出电路技术，研制出具有实用价值的紫外半导体单光子探测器。研究团队利用该探测器首次实现了单光子差分吸收臭氧激光雷达系统，并实现1—3.5公里高度范围内的臭氧浓度监测。相关研究成果日前发表在国际学术期刊《应用物理快报》上。紫外单光子探测技术在大气环境监测、尾焰探测、电弧检测和火灾预警等应用场景中发挥着重要作用。宽禁带半导体材料具有热导率高、抗辐射能力强、电子饱和漂移速度高以及性能稳定等特点，在研制新型紫外半导体单光子探测器方面具有显著的材料性能优势。然而，长期以来基于宽禁带半导体材料的单光子探测器性能指标差，特别是探测效率极低、暗计数率极高，使得该类型单光子探测器不具有实用价值。基于前期研究基础，研究团队在单光子探测器性能指标方面持续开展攻关。一方面，研究团队通过迭代优化单光子雪崩光电二极管结构和工艺提升了器件的单光子探测效率；另一方面，研究团队针对单光子雪崩光电二极管器件的特征，发展了新型主动淬灭主动恢复读出电路，在有效抑制探测器后脉冲概率的同时，显著提升了饱和计数率，基本满足了紫外单光子激光雷达应用对单光子探测器的性能需求。研究团队利用该探测器首次在单光子差分吸收臭氧激光雷达系统中开展相关应用。该激光雷达系统将289纳米和316纳米的脉冲激光同时垂直发射到大气中，由于臭氧分子对两种波长激光的吸收系数不同，实验中将回波信号分为两路，分别用传统的光电倍增管和新型单光子探测器进行探测和数据反演。实验结果表明，在1—3.5公里范围内使用两种探测器反演出的臭氧浓度分布高度吻合。科研人员表示，这项研究工作将为紫外波段单光子激光雷达提供了一种高性能、高环境耐受性的实用化解决方案。

太阳能发电板原理太阳能发电板的原理其实可以分为两种主要方式：光—热—电转换和光—电直接转换。让我们一起来探索这两种方式的奥秘吧！光—热—电转换 𐟌ž➡️𐟔增᯸𐟔‹ 这种方式主要是利用太阳辐射产生的热能来发电。太阳能集热器负责吸收热能，并将其转化为工质的蒸气，然后驱动汽轮机发电。这个过程可以分为两个阶段：首先是光—热转换，其次是热—动再转换成电。听起来是不是有点像普通的火力发电？不过，太阳能热发电的效率比较低，成本也很高，估计投资至少比普通火电站贵5到10倍。光—电直接转换 𐟌ž➡️𐟔‹ 这种方式就更加直接和高效了。它利用光电效应，将太阳辐射能直接转换成电能。光—电转换的基本装置就是太阳能电池。太阳能电池是一种半导体光电二极管，当太阳光照到光电二极管上时，它就会把太阳的光能变成电能，产生电流。如果将许多个电池串联或并联起来，就可以形成一个输出功率较大的太阳能电池方阵。太阳能电池有很多优点，比如寿命长、清洁性和灵活性。只要太阳存在，太阳能电池就可以一次投资而长期使用，而且不会引起环境污染，这与火力发电相比简直是天壤之别。总结 𐟓 无论是光—热—电转换还是光—电直接转换，太阳能发电板的核心都是将太阳的光能转化为电能。虽然光—热—电转换的效率较低，但光—电直接转换的方式更加高效和清洁。无论你选择哪种方式，太阳能都是一种大有前途的新型电源，值得我们进一步探索和利用。

【埃赛力达推出用于测距和LiDAR系统的增强型 InGaAs 雪崩光电二极管】新型APD设计可在相同的激光输出功率下实现更远测距范围网页链接「张国斌的芯发布」

专栏内容推荐

800 x 727 · png
光电二极管工作原理知识介绍
素材来自:szyxwkj.com
560 x 532 · jpeg
光电二极管的工作原理介绍
素材来自:szyxwkj.com

1100 x 1100 · jpeg
硅光电二极管_龙信达 | 光敏电阻、光敏传感器、硅光电二极管-深圳市龙信达科技有限公司
素材来自:lxdcn.com
1009 x 511 · jpeg
什么是光电二极管？光电二极管相关知识详解，图文结合，通俗易懂 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

1100 x 1100 · jpeg
硅光电二极管_龙信达 | 光敏电阻、光敏传感器、硅光电二极管-深圳市龙信达科技有限公司
素材来自:lxdcn.com
474 x 379 · jpeg
Si光电二极管 - 京都半导体股份有限公司
素材来自:kyosemi.co.jp

474 x 495 · jpeg
什么是光电二极管？光电二极管相关知识详解，图文结合，通俗易懂 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com
1000 x 1000 · jpeg
BPX61 光电二极管 850nm PIN硅光电池光电传感器 TO-39 原装进口-淘宝网
素材来自:item.taobao.com

1006 x 584 · jpeg
光电二极管Photodiode_产品展示_上海藏金电子科技有限公司
素材来自:luminance-technology.com
800 x 800 · jpeg
硅光电二极管 S5821-02_红外线发射管_维库电子市场网
素材来自:product.dzsc.com

800 x 800 · png
硅光电二极管 S1226-5BK S1226-5BQ_红外线发射管_维库电子市场网
素材来自:product.dzsc.com
750 x 750 · jpeg
HAMAMATUS光电二极管G12963-32_电子元器件_电子元器件_电力、电子、半导体-上海连航机电科技有限公司
素材来自:linhorn.com

600 x 411 · jpeg
什么是光电二极管？光电二极管相关知识详解，图文结合，通俗易懂 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com
800 x 800 · jpeg
硅光电二极管 S2386-18K S2386-18L_红外线发射管_维库电子市场网
素材来自:product.dzsc.com

800 x 800 · jpeg
硅光电二极管 S1226-8BK S1226-8BQ_光学传感器_维库电子市场网
素材来自:product.dzsc.com
749 x 386 · png
光电二极管的分类详解 - 电子发烧友网
素材来自:elecfans.com

560 x 420 · jpeg
光电二极管工作原理知识介绍
素材来自:szyxwkj.com
800 x 800 · jpeg
硅光电二极管 S1227-16BQ S1227-16BR_红外线发射管_维库电子市场网
素材来自:product.dzsc.com

932 x 846 · jpeg
什么是光电二极管？光电二极管相关知识详解，图文结合，通俗易懂 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com
1000 x 737 · png
光电二极管(Photodiode)的简介与标定指引 - 胜焱电子科技-光焱科技 ENLITECH
素材来自:enlitechsy.com

768 x 768 · jpeg
硅光电二极管 S16838-02MS | 滨松光子学
素材来自:hamamatsu.com.cn
600 x 500 · jpeg
美国Opto Diode光电二极管,蓝色增强型光电二极管,红色增强型光电二极管
素材来自:bihec.com

1158 x 792 · jpeg
光电二极管放大电路设计？如何放大光电二极管信号 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com
1420 x 798 · jpeg
Vishay 900nm红外+可见光光电二极管, 2p, 硅, 典型下降100ns, BPW34 | RS
素材来自:rsonline.cn

600 x 439 · jpeg
什么是光电二极管？光电二极管相关知识详解，图文结合，通俗易懂 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com
768 x 768 · jpeg
硅光电二极管 S16838-02MS | 滨松光子学
素材来自:hamamatsu.com.cn

282 x 274 · jpeg
PS13-5B光电二极管-深圳六朋电子有限公司
素材来自:liupengdz.com
800 x 600 · jpeg
光电二极管阵列 PA1001 - www.rls.si
素材来自:rls.si

669 x 799 · jpeg
KYOSEMI KPDE008-S系列InGaAs光电二极管_光电二极管__中国工控网
素材来自:gongkong.com
600 x 490 · jpeg
什么是光电二极管？光电二极管相关知识详解，图文结合，通俗易懂 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

316 x 277 · jpeg
光电二极管的工作原理及其应用特性-IC先生
素材来自:mrchip.cn
300 x 300 · jpeg
TEMD5110X01_光电二极管_厂家：Vishay Intertechnology-光电查
素材来自:oe1.com

800 x 800 · jpeg
硅光电二极管 S2386-18K S2386-18L_红外线发射管_维库电子市场网
素材来自:product.dzsc.com
685 x 801 · jpeg
KYOSEMI KPID020DS-S系列Si PIN光电二极管 _Si_PIN光电二极管KPID020DS-S系列_中国工控网
素材来自:gongkong.com

450 x 477 · jpeg
美国Fermionics Opto-高速InGaAs光电二极管-FD150系列 - Fermionics Opto-Technology 光电探测器光电二极管 InGaAs光电二极管
素材来自:bihec.com

素材来自:查看更多內容

当前用户设备UA：Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; +claudebot@anthropic.com)