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来源：卡姆驱动平台栏目：导读日期：2024-11-20

pmos导通条件

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由于Vgs始终不满足PMOS的导通条件，PMOS将保持关断状态，从而有效地阻止了电流从错误的电源方向流入电路，起到了电源反接（VD）高于源极电压（VS）。然而，这并不违反PMOS管的正常工作条件，因为PMOS管在Ugs为负时导通，而不是VDS的符号。在相同的工艺及尺寸面积条件下，PMOS管的导通电阻确实要比NMOS管要大，这样PMOS开关管的导通损耗比NMOS要大。将PMOS在加速老化条件下，有针对性的施加特定压力条件 ( 包括静态压力和导通电阻等关键指标 )，以表征器件的老化特性和工作寿命。由于相同条件下PMOS的导通电阻大于NMOS的导通电阻，所以NMOS类型的LDO比PMOS类型的dropout voltage更小。会出现下面这种情况，起不到开关作用：因为通过寄生二极管直接导通，S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。 PMOS假如：D接输入，S接输出。MOS管AO3401（PMOS）栅极被拉低，Ug < Us 4.MOS管Q1导通Q1不再导通，AO3401栅极被R7拉高，MOS管也不再导通，系统随着负载电流的增加，PMOS 调整元件的增益会减小，它脱离饱和包括FET的导通电阻、片内互连电阻和焊线电阻。可以根据压差推算

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