当前位置：网站首页 » 教程 » 内容详情

肖特基势垒前沿信息_肖特基势垒的形成过程(2024年11月实时热点)

内容来源：卡姆驱动平台所属栏目：教程更新日期：2024-11-30

肖特基势垒

网页链接东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。

【科索3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用罗姆的EcoSiC™】全球知名半导体制造商罗姆生产的EcoSiC™产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”），被日本先进电源制造商COSEL CO., LTD. （以下简称“科索”）生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。网页链接「张国斌的芯发布」

马兰士LINK10n：旗舰数播的极致体验嘿，音乐爱好者们！今天我要和你们聊聊马兰士的LINK10n，这款被视为旗舰级别的数字播放器。首先，让我们来看看它的声音表现。每个L/R声道都配备了MUSE系列最高等级的音量控制IC——MUSES72323，这个配置不仅提升了声道分离和信噪比，还通过使用可变电阻器消除了音量部分老化带来的音质变化。更酷的是，它使用了DC伺服器，这意味着在信号路径中不需要耦合电容器，从而实现了低损耗的信号传输。前置放大器的模拟电源电路也相当讲究。它包括一个带有专用镀铜屏蔽外壳的环形变压器、一个由音响大师和声品质工程师合作开发的定制块电容器，以及一个支持高速电源的肖特基势垒二极管。这些组件共同作用，确保了电源的纯净和稳定。唱机均衡器电路“Marantz Musical Premium Phono EQ”与MM型/MC型唱头兼容，并具有增益为20 dB的MC头放大器和增益为40 dB的无反馈唱机均衡器放大器“HDAM”+“HDAM-SA3”的两级配置。这个配置实现了低失真和较低的每级增益。唱机均衡器板由1.2 mm底壳和铜阳极氧化铝顶盖屏蔽，以消除外来噪声对音频信号的影响。所有电路都是离散的，通过使用JFET输入和DC伺服电路而不使用耦合电容器，可以在不影响纯度的情况下放大音频信号。MC唱头配备了可根据MC LOW（33 𜉣€MID（100 𜉥’ŒHIGH（390 𜉨𐃨Š‚的电流反馈全分立耳机放大器，专门用于耳机输出。这个配置据说可以执行细粒度的音质调整。与其他10系型号一样，LINK10n的设计基于新一代马兰士设计“现代经典设计”，在继承品牌传统设计元素的同时，融入现代形象并对其进行重构，以实现理想的设计。正面的显示屏是全彩的，可以鲜艳的色彩显示正在播放的声源的封面。许多外饰件仅由精心挑选的日本制造商制造。至于外壳的材料，前面板和侧板由机加工的实心铝制成。前面板由厚达45 mm的机加工铝材料制成，以减少振动对音质的负面影响。此外，侧盖由15.8毫米厚的铝制成，从正面到侧面都看不到螺丝。机箱内部配备了由2层和3块组成的高刚性结构，以实现理想的预功率放大器。顶盖采用12mm厚铝板、镀铜机箱、5.6mm三层底机箱，实现高刚性。此外，最大直径为94 mm的绝缘体具有混合型支腿，将实心铝与4 mm厚的铜板相结合。前面板的整个周边都用LED灯照亮，据说这是马兰士技术和声音的视觉表现。总的来说，马兰士LINK10n不仅在声音表现上出色，在设计和构造上也体现了极高的工艺和品质。如果你正在寻找一款旗舰级别的数字播放器，这款设备绝对值得一试！𐟎𖰟’ꀀ

【「USTCⷧ瑧 ”」｜中国科大设计出基于体相肖特基结构的便携式辐射探测器】近日，合肥微尺度物质科学国家研究中心、中国科学技术大学物理学院、中国科学院强耦合量子材料物理重点实验室的肖正国教授课题组，创新性地设计并制备出一种体相肖特基结构。该结构利用多孔碳电极与填充在其内部的钙钛矿半导体形成。体相肖特基结将辐射探测器中的电荷传输距离降低了两个多量级，钙钛矿辐射探测器在低电压下也能实现高灵敏度，向便携式辐射探测器的广泛应用迈出重要一步。11月27日，相关研究成果以A bulk Schottky junction for high-sensitivity portable radiation detectors为题发表在国际著名学术期刊《自然ⷩ€š讯》（Nature Communications）。论文链接：网页链接原文链接：网页链接「中国科学技术大学超话」

东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员

华为海思2025秋招模拟芯片真题解析 𐟓… 华为海思2025届秋招模拟芯片真题（2024年8月28日）单选题 1️⃣ 阻抗匹配的目的是什么？ A. 吸收负载上的寄生电容 B. 使源端看到的输入阻抗与源阻抗匹配 C. 减少附加的噪声和失真 D. 实现最大功率传输 2️⃣ 衡量ADC采样时钟对NR的影响，关注哪种jitter？ A. 长期jitter B. 周期jitter C. 随机jitter D. 循环jitter 3️⃣ 两个电路图中，若每个MOS管相同，且每个支路的偏置电流IB相等，不考虑器件衬偏效应和稳定性问题，以下说法正确的是？ A. -3dB带宽相同 B. DC增益相同 C. 输出摆幅相同 D. GBW相同 4️⃣ 肖特基势垒二极管与PN结二极管的有效开启电压比较？ A. 肖特基势垒二极管高 B. PN结二极管高 C. 两者相同 D. 不确定 𐟓… 华为海思2025届秋招模拟芯片真题（2024年9月26日）单选题 1️⃣ 下图lout/li=(Vcc/lout)/(lin/Beta)=10，Beta=10，答案是？ A. 0.98 B. 0.94 C. 0.96 D. 14 2️⃣ 单管放大器中，共栅、共漏、共源级哪种是正确的？ A. 共栅 B. 共漏 C. 共源级 D. 以上都不是 3️⃣ PMOS阈值电压的绝对值随温度降低而如何变化？ A. 先增加后降低 B. 降低 C. 不变 D. 增加 4️⃣ 关于预加重和去加重的描述，正确的是？ A. 预加重增加低频分量，去加重减小高频分量 B. 预加重增加低频分量，去加重增加高频分量 C. 预加重增加高频分量，去加重减小低频分量 D. 预加重增加高频分量，去加重增加低频分量

华为秋招硬件功率器件机试全解析𐟒Ž为2025届秋招硬件功率器件机试经验分享。这一份经验来之不易，真是千辛万苦。𐟒ꊥ•选题解析𐟓 金属与半导体的接触方式：肖特基接触 vs 欧姆接触金属和半导体的接触主要分为两种：肖特基接触和欧姆接触。肖特基接触具有整流特性，只允许电流在一个方向上流动，基于金属和半导体之间的功函数差异，形成了一个势垒，使得电流只能在一个方向上通过。而欧姆接触则没有整流特性，允许电流在两个方向上都能自由通过，这种接触通常在半导体掺杂浓度较高时形成，通过隧道效应穿过势垒，从而形成低阻值的接触。 IGBT的优点 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）具有电力场效应管和电力晶体管的优点。它既具有MOSFET的快速开关速度、低驱动功率的特点，也有BJT的低饱和压降、高电流和高电压能力的优点。封装失效分析的原则封装失效分析的原则是先做无损分析，再做破坏性分析，并做好分析计划。这样可以确保分析的准确性和完整性。希望这些解析能帮助到正在准备华为秋招的你！祝你顺利通过机试，拿到心仪的offer！𐟎‰

【Toshiba第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率】Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation在第3代碳化硅肖特基势垒二极管产品线增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，用于光伏逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备。网页链接

高性能石墨烯基染料敏化太阳能电池光阳极能够提升光伏特性。染料敏化太阳能电池(DSSCs)因无毒、成本低的特点受到了越来越多的关注。自从Gratzel在1991年取得突破性的能量转换效率(以来，研究的焦点集中于制备更高效的染料和开发性能更好的光阳极材料，以追求更高的光伏性能。染料分子作为光子马达实现器件的光电转换功能，并决定光电转换效率(IPCE)。近年来，科研人员制备了一系列的高性能染料，包括N749、N3、吲哚啉、卟啉和酞菁等。目前，限制DSSCs发展的瓶颈在于如何进一步提高光阳极的性能。尽管纳米多孔TiO2光阳极提高了对染料的吸附能力，但其较高的电阻导致填充因子(FF)较小，限制了š„提高。石墨烯具有极高的电子迁移率(200000cm2ⷖ－1ⷳ－1)、大比表面积(2630m2ⷧ－1)以及高透光率(单层样品为97%)，因而被认为是一种理想的光阳极改性材料。 Shin等报道了还原氧化石墨烯(rGO)改性的光阳极材料，高了20%。Tang等采用化学气相沉积法制备了三维网状石墨烯(3DGNs)，并将其作为电子快速输运通道应用于光阳极中，➥Š 到了9.1%，但经过仔细分析后发现，3DGNs和TiO2之间界面接触不够紧密并造成光生电子的损失。因此，如何抑制暗电流的产生、提高光阳极对入射光的吸收能力并进一步提高光电转化效率和€𜥾—研究。本研究制备了一种石墨烯修饰的具有三层结构的光阳极，并分别分析了输运层、工作层和散射层的作用机制。最后优化了光阳极的三层结构，提升DSSCs的光伏特性。得到采用不同光阳极的DSSCs的J-V曲线示于图3中，可见所制备器件的光伏特性与所采用的光阳极紧密关联。首先看到，如果输运层采用rGO作为终结层时JSC和ƒ𝥢ž加了约10%，而如果采用TiO2作为终结层时其相应的表现与没有增加输运层时相当，表明只有当rGO作为输运层的终结层时才能提高光阳极的输运性能。在输运层和工作层厚度相同的前提下，观察到的光伏性能差异有下列两种可能的原因:输运层与工作层的界面接触条件、输运层与导电基板的界面接触条件。得到当输运层的终结层分别为rGO和TiO2时光阳极的能带结构和光生电子传输的示意图。发现主要区别在于光生电子在工作层和输运层界面上的传输能力存在差异。石墨烯的费米能级高于TiO2的导带，电子从石墨烯传输到TiO2的概率小于5㗱0－7(量子隧穿被证实是实现电子在界面处输运，克服肖特基势垒的唯一途径)。相反，当电子从TiO2转移到石墨烯则形成欧姆接触。因此，当采用rGO作为终结层时，电子传输(从TiO2和3DGNs到rGO)比采用TiO2作为终结层(从3DGNs和TiO2到TiO2)效率更高。理论上电子传输到rGO后需要通过TiO2才能进一步传输到导电玻璃上，但实际上采用自组装方法制备的每层TiO2和rGO无法实现完整的封闭，即以rGO为终结层时，大部分接触面积可实现欧姆接触。而采用TiO2为终结层时，工作层和输运层接触的大部分面积依然是肖特基接触，导致光生电子输运效率的显著差异。在本研究中同时采用rGO和3DGNs共同修饰工作层，发挥rGO改善石墨烯与TiO2界面接触水平和3DGNs提高电子输运的能力，进一步提升了器件的光伏特性。除了电子输运能力之外，器件的光伏性能也取决于光阳极对入射光的吸收能力和对染料的吸附能力。光阳极中颗粒的平均粒径与入射光波长之间的关系是影响光阳极散射和吸收入射光的主要因素。由于工作层中TiO2颗粒尺寸较小(20～30nm)，导致其对可见光(400～760nm)的散射能力较弱，从而限制了光阳极对入射光的反复散射和吸收。因此，增加散射层以提高光阳极对入射光的吸收至关重要，同时散射层应与工作层具有较好的兼容性。通过水热法制备的rGO-TiO2复合物的平均尺寸可以通过调节反应条件来控制，使其与可见光波长相匹配。观察散射层的SEM图和TEM图，插图中的晶格间距对应于TiO2的(101)晶面。添加散射层后，IPCE在长波范围内增加了10%，表明采用散射层对提高光阳极对入射光的反复吸收具有重要的意义。此外，加入散射层后染料的负载量显著提高。最后对工作层和散射层中rGO的质量分数进行了优化，当其数值分别为4(wt)%和5(wt)%时光伏性能最佳，JSC和𞾥ˆ𐲳.6mAⷣm－2和10.7%。结论制备了具有三层结构的石墨烯基光阳极并应用于DSSCs，其光伏性能与光阳极的结构密切相关。输运层中最终沉积层的选择决定了输运层和工作层界面处的接触水平，最终沉积层为石墨烯时可进一步提升DSSCs的光伏表现。界面接触条件对JSC、FF和œ‰显著的影响，当满足欧姆接触时，电子的输运能力得到显著提高。由于输运层较薄，暗电流的大小主要由工作层决定。

为什么ss54以下的肖特基二极管反向电阻竟然只有几十k，会微漏电，ss310就测不出反向电阻

专栏内容推荐

1240 x 522 · jpeg
肖特基势垒与欧姆接触 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

1240 x 755 · jpeg
肖特基势垒与欧姆接触 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com
2560 x 1920 · jpeg
肖特基势垒高度调整方法 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

600 x 223 · jpeg
学术干货 | 如何从二维材料晶体管的输运数据中提取肖特基势垒
素材来自:sohu.com

1240 x 617 · jpeg
肖特基势垒与欧姆接触 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

669 x 600 · jpeg
肖特基势垒与欧姆接触知识介绍
素材来自:szyxwkj.com
662 x 372 · jpeg
肖特基势垒二极管基础知识 | 东芝半导体&存储产品中国官网
素材来自:toshiba-semicon-storage.com

334 x 258 · png
肖特基势垒与欧姆接触 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com
600 x 435 · jpeg
学术干货 | 如何从二维材料晶体管的输运数据中提取肖特基势垒
素材来自:sohu.com

571 x 351 · png
肖特基势垒二极管，肖特基势垒二极管工作原理及结构特点-IC先生
素材来自:mrchip.cn
3346 x 1939 · jpeg
势垒可调的氧化镓肖特基二极管
素材来自:wulixb.iphy.ac.cn

754 x 256 · jpeg
肖特基势垒二极管（SBD）与肖特基接触(schottky contacts) - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

746 x 420 · jpeg
肖特基势垒二极管 | 东芝半导体&存储产品中国官网
素材来自:toshiba-semicon-storage.com

720 x 521 · jpeg
PN结势垒与金属—半导体肖特基势垒的不同点有哪些？ - 知乎
素材来自:zhihu.com
1890 x 1229 · jpeg
电场对graphene/InSe范德瓦耳斯异质结肖特基势垒的调控
素材来自:wulixb.iphy.ac.cn

1376 x 618 · jpeg
《Reports on Progress in Physics》综述文章：二维半导体晶体管中的肖特基势垒 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

278 x 229 · jpeg
肖特基势垒 - 快懂百科
素材来自:baike.com
720 x 540 · jpeg
肖特基势垒高度调整方法 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

1391 x 330 · png
金半接触与肖特基势垒二极管I - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

3346 x 1053 · jpeg
1 nm Al 插入层调节 NiGe/n-Ge 肖特基势垒
素材来自:wulixb.iphy.ac.cn

3346 x 1053 · jpeg
1 nm Al 插入层调节 NiGe/n-Ge 肖特基势垒
素材来自:wulixb.iphy.ac.cn

600 x 215 · jpeg
肖特基势垒与欧姆接触 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

600 x 211 · jpeg
肖特基势垒与欧姆接触 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

394 x 316 · jpeg
基于MoS2肖特基势垒二极管的高性能自驱动光电探测器,Advanced Optical Materials - X-MOL
素材来自:x-mol.com
1920 x 1080 · jpeg
半导体，PN结与Schottky势垒 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

747 x 493 · jpeg
肖特基接触 - 快懂百科
素材来自:baike.com
818 x 831 · jpeg
肖特基势垒薄膜晶体管及其制造方法
素材来自:xjishu.com

1000 x 522 · gif
一种低势垒肖特基二极管及其制备方法与流程
素材来自:xjishu.com

600 x 450 · jpeg
肖特基势垒高度调整方法 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com
332 x 200 · jpeg
肖特基势垒高度介导的基于 Ti3C2 MXene 的异质结构用于快速光催化水消毒：抗菌效率和反应机制,Separation and Purification Technology - X-MOL
素材来自:x-mol.com

763 x 257 · jpeg
技术小科普—肖特基二极管的基本结构与工作原理 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

366 x 302 · png
肖特基势垒二极管的等效电路和伏安特性
素材来自:slkormicro.com
600 x 296 · jpeg
什么是肖特基二极管？肖特基二极管工作原理详解，几分钟带你搞定 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

1005 x 752 · png
功率半导体器件第7讲 JBS（势垒控制肖特基二极管） - 哔哩哔哩
素材来自:bilibili.com
474 x 340 · jpeg
肖特基势垒与欧姆接触 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

素材来自:查看更多內容

当前用户设备UA：Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; +claudebot@anthropic.com)